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公开(公告)号：CN117265575A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310824668.7
申请日：2023-07-06
Applicant: 江苏天合元氢科技有限公司 , 复旦大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/054 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本公开实施例提供电解水催化剂的制备方法，通过将镍盐溶液、铬盐溶液及第三元素的盐溶液进行混合，得到前驱体溶液，第三元素为非贵金属，将前驱体溶液涂覆在电极片上，并进行干燥和煅烧。本公开实施例提出一种包含非贵金属的催化剂的新的制备方法，结合涂覆及煅烧工艺，催化剂负载量稳定，分布均匀，实现电解水催化剂的低成本制备，进而实现电解水制氢技术的规模化发展。
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公开(公告)号：CN101940952B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010254993.7
申请日：2010-08-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于无机有机杂化材料技术领域，具体为一种双金属纳米颗粒催化剂及其制备方法。本发明利用乙酰丙酮镍、乙酰丙酮铂和乙酰丙酮钯在不同有机溶剂中的不同溶解度，在混合溶剂中制备出催化剂前驱体，或者利用铂、钯金属纳米颗粒生长中的协同作用，最终使双金属纳米颗粒均匀分布在碳纳米管表面，得到两种双金属纳米颗粒催化剂。该复合材料的催化剂在催化有机偶合反应中具有较好的催化性能，该性质在有机合成中具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN103646913A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310565850.1
申请日：2013-11-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76825
Abstract: 本发明公开了一种改善超低介电常数多孔SiCOH薄膜抗吸湿性能的方法，该方法是将k值为1.6-2.0的超低介电常数多孔SiCOH薄膜，在环境温度下，置于紫外光下进行照射，以提高薄膜的抗吸湿性能，其中，紫外光波长范围为200-400nm，环境温度为50-100℃，照射时间为2-10小时。通过上述处理，薄膜的抗吸湿性能显著改善，而不影响薄膜的其他性能；常温下在湿度为80%的环境中静置12h以上k值仅上升1-5%。本发明所提出的方法，不仅能改善薄膜的疏水性能，还能改善薄膜的力学性能（杨氏模量和硬度）以及漏电性能；操作过程简单、可控性好、成本低。本发明的方法所得到的SiCOH薄膜具有足够低的介电常数（k
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公开(公告)号：CN103000513A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210554308.1
申请日：2012-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法。本发明以CF3I和C4F8作为多孔SiCOH薄膜的主要刻蚀气源，并添加O2作为氧化剂，通过调节刻蚀各气源的流量比，实现对多孔低介电常数SiCOH薄膜的高效刻蚀。刻蚀后所获得的薄膜受损伤程度较小、残留杂质浓度很低，并且具有优越的图案保形性能，适用于45nm以下的超大规模集成电路制造工艺。
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公开(公告)号：CN103000513B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210554308.1
申请日：2012-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域,具体为一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法。本发明以CF3I和C4F8作为多孔SiCOH薄膜的主要刻蚀气源，并添加O2作为氧化剂，通过调节刻蚀各气源的流量比，实现对多孔低介电常数SiCOH薄膜的高效刻蚀。刻蚀后所获得的薄膜受损伤程度较小、残留杂质浓度很低，并且具有优越的图案保形性能，适用于45nm以下的超大规模集成电路制造工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104078420A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410337539.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L23/5329
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9 A/cm2数量级，杨氏模量为8-20GPa，硬度为0.8-1.5GPa。
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公开(公告)号：CN102683275A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210187160.2
申请日：2012-06-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体为一种超低k材料薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）为前驱体，通过添加表面活性剂P123、HCl、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液。然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得超低k材料薄膜。通过控制前驱体、表面活性剂、催化剂和溶剂的比例，以及旋涂成膜条件和后处理条件，获得k值在2.1~2.5之间，在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为1.5×10-6~3.4×10-9A/cm2，杨氏模量为21.05~24.15GPa，硬度为2.3~2.69GPa的超低k材料SiCOH薄膜。
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公开(公告)号：CN101940952A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010254993.7
申请日：2010-08-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于无机有机杂化材料技术领域，具体为一种双金属纳米颗粒催化剂及其制备方法。本发明利用乙酰丙酮镍、乙酰丙酮铂和乙酰丙酮钯在不同有机溶剂中的不同溶解度，在混合溶剂中制备出催化剂前驱体，或者利用铂、钯金属纳米颗粒生长中的协同作用，最终使双金属纳米颗粒均匀分布在碳纳米管表面，得到两种双金属纳米颗粒催化剂。该复合材料的催化剂在催化有机偶合反应中具有较好的催化性能，该性质在有机合成中具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN117448907A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310821002.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 江苏天合元氢科技有限公司 , 复旦大学
IPC: C25D5/26 , C25D5/24 , C25D5/50 , C25B1/04 , C25B11/061 , C25B11/091
Abstract: 本发明提供了一种可用于电解水制氢的电极片及其制备方法和用途。本发明的方法包括以下步骤：(1)制备电镀液：将镍盐、Ln盐和可选的添加剂溶解在水中，制得电镀液；(2)电镀：将催化剂载体和惰性阳极置入电镀液中，将惰性阳极连接正极，将催化剂载体连接负极，进行电镀；(3)清洗干燥：清洗电镀完成的催化剂载体，干燥，制得负载有催化剂前驱体的电极片；(4)煅烧：煅烧所述负载有催化剂前驱体的电极片，煅烧温度为300‑400℃，制备得到所述电极片。本发明的电极片制氢效率高、稳定性好、成本低、具有优异的抗硫毒化性能。
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公开(公告)号：CN104078420B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410337539.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体为一种基于BTEM前驱体的超低介电常数薄膜及其制备方法。本发明以1，2-二（三乙氧基硅基）甲烷为前驱体，通过添加表面活性剂聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物、盐酸、乙醇和去离子水，制备溶胶溶液；然后，采用旋涂技术和后退火处理，获得性能良好的超低介电常数薄膜材料，其介电常数值（k）在1.8-2.0之间，0.5 MV/cm的电场强度下漏电流密度在10-10-10-9 A/cm2数量级，杨氏模量为8-20 GPa，硬度为0.8-1.5 GPa。
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