公开(公告)号：CN119069580B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411566611.2

申请日：2024-11-05

Applicant: 苏州炳日科技有限公司

Inventor： 张大雨 ,  张东 ,  郑会刚 ,  刘欢 ,  韩佳威

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326

Abstract: 本发明涉及光伏电池片制造技术领域，具体公开了一种电池片激光烧结方法和电池片激光烧结设备。其中，烧结方法包括如下步骤：给电池片施加电压并沿前后方向自后向前输送电池片；朝向电池片发射激光，激光发射时，在电池片的所在平面形成点状的光斑；移动激光以使光斑按预设的扫描路径进行多次循环扫描；扫描路径包括从第一侧的第一点移动至第二侧的第二点的第一路径、从第二点向后移动至第三点的第二路径、从第三点移动至第一侧的第三路径；第一路径自后向前倾斜延伸或与横向方向平行，第三路径自后向前倾斜延伸。本发明中，使点状的光斑按预设的扫描路径移动，激光所扫过的区域能够很好地覆盖电池片，且施加到电池片上的能量适中。

公开(公告)号：CN119630092A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202311168053.X

申请日：2023-09-11

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 齐利娜 ,  周永安 ,  魏乾龙

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/1223 ,  H01L21/223 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明提供了一种太阳电池的掺杂方法、制备方法以及太阳电池。掺杂方法包括以下步骤：对氧化后的硅片进行磷扩散，以在硅片上形成磷硅玻璃层前体；对磷扩散后的硅片进行推进，以使磷硅玻璃层前体中的磷原子推进到硅片的内部；对推进后的硅片进行降温吸杂，以使磷硅玻璃层前体中的磷原子进一步推进到硅片的内部；对降温吸杂后的硅片进行再次磷扩散，以使磷硅玻璃层前体形成磷硅玻璃层；对硅片上的磷硅玻璃层的局部进行激光掺杂；去除磷硅玻璃层。本发明能够提高太阳电池的转换效率。

公开(公告)号：CN119601461A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411689801.3

申请日：2024-11-25

Applicant: 安徽芯宇驰半导体科技有限公司

Inventor： 刘申 ,  邓正绍

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/67 ,  B23K26/38 ,  B23K26/402 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明涉及闪存晶片技术领域，具体为一种闪存晶片自动化生产工艺，包括以下步骤：A、将待切割的晶圆放置在晶圆激光切割机的专用切割台上，并将晶圆固定，确保晶圆在切割过程中不会发生位移；B、对晶圆进行扫描，确定切割范围，将切割头移动到晶圆中心点处，为切割起点；C、规划切割路径，启动晶圆激光切割器，控制切割头按预定的切割路径移动；D、切割头从中心向外圈移动进行切割，使切割头在到达晶圆边缘前停止，以保证切割后的边角料连为一体，继而，切割头通过转换移动方向再继续移动，本发明的目的在于解决需要在拾取闪存晶片时，需要区分废料，避开废料进行拾取，导致拾取过程较为复杂的问题。

公开(公告)号：CN112889137B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201980057390.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 株式会社UACJ

Inventor： 有马博纪 ,  芦泽公一

IPC: H10D8/01 ,  H01L21/268 ,  H01L21/363 ,  H01L21/479 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50 ,  H10D62/80

Abstract: 一种利用半导体制造装置(100)的半导体制造方法，包含：配置步骤，在包含氧化铝的基材(1)的一端配置发生氧化反应的阳极(2)，且在基材(1)的另一端配置发生还原反应的阴极(3)；加热步骤，在使阳极(2)与基材(1)的一端接触，且使阴极(3)与基材(1)的另一端接触的状态下，将基材(1)进行加热而使其熔融；熔融盐电解步骤，在基材(1)的至少一部分熔融的整个期间或者一部分期间，在阳极(2)与阴极(3)之间流通电流来进行熔融盐电解；以及半导体形成步骤，在熔融盐电解步骤之后将基材(1)冷却，形成p型氧化铝半导体层及n型氧化铝半导体层。

公开(公告)号：CN119403277A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411570389.3

申请日：2024-11-05

Applicant: 苏州炳日科技有限公司

Inventor： 张大雨 ,  张东 ,  郑会刚 ,  刘欢 ,  韩佳威

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/326 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677 ,  B23K26/082

Abstract: 本发明涉及光伏电池片制造技术领域，具体公开了一种激光烧结模块、电池片激光烧结设备及方法。激光烧结模块包括沿前后方向设置的至少两组加电辊轴组件、用于向两组加电辊轴组件之间发射激光的激光组件；加电辊轴组件包括沿上下方向相对设置的上辊轴和下辊轴，上辊轴和下辊轴均包括主轴、套设在主轴上的绝缘层、套设在绝缘层上的导电层以及套设在导电层上并且间隔排布的多个电极环；激光烧结模块还包括电源，上辊轴的导电层和下辊轴的导电层分别电性连接电源的正负极。本发明能够一边输送电池片，一边给电池片施加电压，进而激光组件所发射的激光能够完成对电池片整片的扫描，整个过程只需用到一组激光组件，降低了设备的制造成本。

公开(公告)号：CN114068679B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202111458178.7

申请日：2021-12-01

Applicant: 北京绿能芯创电子科技有限公司

Inventor： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: H10D62/10 ,  H10D64/62 ,  H10D8/01 ,  H10D8/60 ,  H01L21/04 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅二极管及其制备方法，包括碳化硅衬底、多层外延层、多个P型分压环、多个P型扩散区、肖特基势垒层、欧姆接触层、背面金属电极、正面金属电极、二氧化硅薄膜以及聚酰亚胺层；背面金属电极和碳化硅衬底均设置在欧姆接触层上；多层外延层设置在碳化硅衬底上；多层外延层的两端均设置有二氧化硅薄膜；聚酰亚胺层设置在二氧化硅薄膜上；正面金属电极的两端均设置在二氧化硅薄膜上；肖特基势垒层设置在多层外延层上。本发明通过激光设备生成特定能量的激光束，朝向注入参杂区域，实现选择性区域激活，独立的激活深度控制，满足注入区域中晶格修复及离子激活条件。

公开(公告)号：CN119384062A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411433243.4

申请日：2024-10-14

Applicant: 横店集团东磁股份有限公司

Inventor： 吴成坤 ,  徐君 ,  魏露露 ,  俞鼎行 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/70 ,  H01L21/268 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种晶硅太阳能电池硅片的制绒方法，包括：S1、对硅片激光一次晶化处理；S2、一次碱抛光；S3、对硅片上线痕凹槽底部激光图形化二次晶化处理；S4、二次碱抛光；S5、将硅片浸入HF/HNO3混合溶液中预处理，使硅片表面生成多孔硅层；S6、碱制绒。本发明通过对硅片进行“激光一次晶化→一次碱抛光→激光二次晶化→二次碱抛光→HF/HNO3体系预处理”，可大幅缩减制绒时间，且在硅片表面生成的金字塔绒面更为均匀，可有效降低绒面反射率。

公开(公告)号：CN119317221A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411263228.X

申请日：2024-09-10

Applicant: 江苏润阳世纪光伏科技有限公司

Inventor： 乐雄英 ,  陆祥 ,  杨阳 ,  陶龙忠

IPC: H10F71/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/223 ,  H10F77/30 ,  H10F77/00 ,  H10F10/14

Abstract: 本发明公开一种高效N型TOPCon电池及其制备方法，包括：S1、提供N型硅衬底并进行碱制绒；S2、在N型硅衬底正面化学气相沉积，形成正面隧穿氧化硅薄膜层和非晶硅层；S3、正面进行低温硼扩散，形成掺杂非晶硅层；S4、在掺杂非晶硅层的表面激光掺杂进行晶态改性，形成激光改性区；S5、对N型硅衬底的背面抛光；S6、在N型硅衬底的背面低温化学气相沉积，形成背面隧穿氧化硅薄膜层、本征多晶硅层和掩膜层；S7、背面进行低温磷扩散，形成掺杂多晶硅层；S8、去除掩膜层；S9、在N型硅衬底的正、背面分别沉积形成正、背面复合钝化膜；S10、在激光改性区中印刷银浆，烧结，获得正面栅线，背面印刷银浆，烧结，获得背面栅线。

公开(公告)号：CN119208446A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411346368.3

申请日：2024-09-25

Applicant: 晶科能源股份有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 郑霈霆 ,  沈梦超 ,  陈雪峰 ,  姜传伟 ,  王钊 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268

Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池的制作方法。在本申请实施例中，通过在激光辅助烧结处理过程中配置目标照射过程，使得在目标照射过程中的激光在太阳能电池基底上的移动方向和第一电极的纵长延伸方向彼此相交，不仅可以形成更大的覆盖非电极区域的范围，进而能够激发出更多的载流子，使得形成的第一电极与基底的接触性能提高的更为显著，还可以降低控制激光的精度需求，扩大了工艺窗口以及提高了制作效率。因此，通过配置前述所言的目标照射过程，不仅可以更大程度地提高第一电极与基底的接触性能，提高太阳能电池的转换效率，还便于加工制作以及提高制作效率。

公开(公告)号：CN119208254A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202310936526.X

申请日：2023-07-28

Applicant: 苏州海杰兴科技股份有限公司

Inventor： 请求不公布姓名

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268 ,  H01L21/683 ,  B23K26/38 ,  B23K26/364

Abstract: 一种晶圆切割方法，涉及晶圆切割加工技术领域。该晶圆包括相对设置的正面和背面，正面具有多个芯片功能区和位于相邻两个芯片功能区之间的切割道区，该晶圆切割方法包括：在晶圆的正面贴正面保护膜；对晶圆的背面进行减薄处理，以使晶圆减薄至预设厚度；去除正面保护膜，并在晶圆的背面贴透切膜；对应切割道区对晶圆的正面进行激光开槽处理；对应切割道区对经过激光开槽处理后的晶圆进行背面激光透射隐形切割，以使晶圆被分割为多个芯粒；拉伸透切膜，以使晶圆内相邻两芯粒产生间隔并对芯粒进行取料处理。该方法步骤较少，省掉了开槽到隐切过程中的倒膜过程，能够提高晶圆切割的效率、减少破片率、增加芯粒数量，降低单颗芯粒的加工成本。