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公开(公告)号：CN104183651B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410402668.9
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。
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公开(公告)号：CN103208518B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310098165.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN104167450A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410403932.0
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/778
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该二极管的阴极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的源极或沟道区连接；一个电容器，该电容器的一端与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该电容器的另一端与外部电压信号连接。本发明的半浮栅功率器件结构简单，适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103219377A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098164.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后直接通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103208518A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310098165.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185003B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110094530.3
申请日：2011-04-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/42 , G02B6/4214 , H01L27/2454 , H01L27/304 , H01L31/02327 , H01L31/113 , H01L31/1136 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103219376B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310098145.5
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源极与漏极能够在栅极形成之后通过合金化工艺来形成，降低了源、漏接触电阻，增强了氮化镓射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103219377B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310098164.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后直接通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103219369A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098550.7
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN104183594B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410404475.7
申请日：2014-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。
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