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公开(公告)号：CN104269358A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410472750.9
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66537 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/324 , H01L29/1033 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚拟栅结构之后，在沟道区内形成短沟道抑制区，能够抑制半导体器件的短沟道效应，满足器件特征尺寸不断减小的需求。
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公开(公告)号：CN103021821A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的金属或半导体结构及其退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN105118776A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510378906.1
申请日：2015-07-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/268 , H01L21/32051
Abstract: 本发明涉及晶体管制造领域，公开了一种制备高性能TFT的方法。本发明中，在活化层上形成金属层且对活化层进行离子掺杂之后，再采用微波退火工艺对掺杂离子进行激活，借助金属层对微波的高吸收作用，提高了微波退火工艺的效率，并且成本低廉，有利于进行量产。
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公开(公告)号：CN105047560A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510378908.0
申请日：2015-07-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种微波退火工艺。本发明中，在功能层的第一表面和/或第二表面上形成均匀覆盖的高吸收层，借助高吸收层对微波的高吸收作用，一方面保证对功能层的均匀热传导，克服了非接触式效率低下的问题；另一方面，因为高吸收层与功能层对应，并且高吸收层自身质量极小，其自身消耗的微波能量相较于前述方式极大的减小，提高了能量的利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269438A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410472808.X
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L29/0847 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种无结场效应晶体管及其制备方法。本发明中，能够获得具有关态漏电小，能有效克服短沟道效应等优点的无结场效应管，此外，使源区和漏区采用肖特基接触引出，能够降低源区和漏区的接触电阻，从而增加了驱动电流，而且工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN103000674B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210544375.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28
Abstract: 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。
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公开(公告)号：CN103021821B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210491549.6
申请日：2012-11-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种位于柔性衬底上的半导体结构的退火方法。本发明中，通过采用微波加热方式，对位于柔性衬底上的金属或者半导体结构进行退火，由于微波加热对物质具有选择性加热的特性，使得在对位于柔性衬底上的金属或半导体结构退火时，可选择性地只对非晶硅层或者金属层加热，而柔性衬底不会吸收或基本不吸收微波能量，因此柔性衬底不会在微波退火时被加热到很高的温度，从而保证了柔性衬底不被破坏；而且微波加热能使被加热物料内外同时加热、同时升温，加热均匀，因此，本发明提供的方法能在低温下完成对位于柔性衬底上的金属或半导体结构的退火，并且加热均匀，加热能耗效率高。
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公开(公告)号：CN104241382A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410472812.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/41766 , H01L29/66477
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，公开了一种金属源漏接触、场效应晶体管及其制备方法。本发明中，在金属硅化物与源区或漏区交界处形成具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，大大降低了源漏接触电阻。提出的场效应晶体管采用金属源漏接触将源区和漏区引出，使形成的场效应管具有较低的源漏接触电阻，能够提高其性能。
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公开(公告)号：CN103000674A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210544375.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/43 , H01L21/28
Abstract: 晶体管具有倒置异质结结构，其中，在形成基极层和集电极层之前形成发射极层。通过为关键的基区形貌和掺杂分布控制提供更好的热预算，可以获得更高的截止频率(fT)；通过最小化集电区和基区的接触面积，可以显著减少寄生电容、提高最高振荡频率(fmax)。这样可以显著提高晶体管的频率特性。这种倒置的异质结结构，可以采用ALE工艺通过在预先形成的外延单晶金属硅化物上形成发射极层，在发射极层上形成基极层，在基极层上形成集电极层制备得到。
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