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公开(公告)号：CN102169723A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113797.8
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。该电阻随机存储器可以用于高安全性的抗功耗分析攻击领域的数据存储。
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公开(公告)号：CN102169719A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113753.5
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻随机存储器技术领域，具体为一种一次可编程(OTP)电阻随机存储器、读写电路及其编程方法。该OTP电阻随机存储器利用OTP电阻随机存储器采用对称的2T2R结构、并依靠分别通过两个存储电阻R的电流大小的相互比对以判别数据存储状态，同时，结合OTP电阻随机存储器用户只需要一次编程的特点，将OTP电阻随机存储器中存储电阻R均置于高阻态交付给用户编程使用。该OTP电阻随机存储器具有用编程功耗低、面积小、抗功耗分析攻击的特点，尤其适用于嵌入式应用。
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公开(公告)号：CN102169714A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113756.9
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，或者由“弱0”变为“强0”状态；该方法并不利用Charge Bumping(电荷泵)效应进行刷新操作，因此具有刷新操作的可靠性高的特点。同时，对于FBC存储器单元或存储器，刷新操作过程中不存在读取过程，进而可以对FBC存储器的存储阵列进行整体刷新操作。
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公开(公告)号：CN102169711A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113787.4
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C7/06 , G11C11/00 , G11C11/413
Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的电阻随机存储器模块(370)，所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。该可编程逻辑器不但能克服SRAM中的SER问题，还具有单芯片、体积小、抗辐射、功耗低、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN102081963A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199382.4
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。
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公开(公告)号：CN101908373A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910052483.9
申请日：2009-06-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的读操作电压漂移，稳定读过程中位线上电压，结构相对简单，同时不需要明显增加芯片面积。
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公开(公告)号：CN101908371A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910052484.3
申请日：2009-06-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/405 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容，所述等效寄生电容的存储电荷端控制所述可编程逻辑器件的开关管，利用该增益单元eDRAM无破坏性读出或者破坏性读出较小的特点，在刷新操作过程中，进行读操作时，存储节点的电位不发生变化或者电位变化比较小，从而不会影响开关管的逻辑状态的变化。使用该增益单元eDRAM的可编程逻辑器件的芯片面积可以大大缩小。
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公开(公告)号：CN101872645A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050102.3
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN101159284B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710045938.5
申请日：2007-09-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WOx电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔洞中的钨栓塞氧化形成的WOx存储介质，以自对准方式形成金属上电极于所述的WOx存储介质之上和所述的牺牲介质层孔洞之中。在制作所述的电阻存储器时，以自对准形成的金属上电极层，无需为制作上电极图形增加掩膜和光刻步骤，减少工艺复杂度，可提高存储性能的可靠性和降低工艺成本。
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