公开(公告)号：CN101924550A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910052911.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇 ,  陈凤娇

IPC: H03K19/177 ,  G11C11/409

Abstract: 本发明提供一种采用增益单元eDRAM的查找表，属于可编程逻辑器件领域。该查找表包括多路选择器、若干个反相器和增益单元eDRAM，每个反相器的输出端对应连接于多路选择器的一个数据输入端，每个增益单元eDRAM中的存储单元的存储节点对应连接于一个反相器的输入端。该查找表具有易与CMOS标准工艺兼容、结构相对简单、单元面积小的特点。

公开(公告)号：CN102169711A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010113787.4

申请日：2010-02-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈凤娇 ,  薛晓勇

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/00 ,  G11C11/413

Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的电阻随机存储器模块(370)，所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。该可编程逻辑器不但能克服SRAM中的SER问题，还具有单芯片、体积小、抗辐射、功耗低、成本低的特点。