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公开(公告)号：CN103682090A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN102169956B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010113771.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。
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公开(公告)号：CN101393768A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201661.5
申请日：2008-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN102867911A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110189267.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于基于第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，金属氮氧化物层通过基于第一金属材料的金属氮化物层在接触基于第二金属材料的金属氧化物层的界面处被部分地氧化形成。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及开态电阻高、高低阻窗口大、以及数据保持能力好的优点，能明显提高电阻型存储器的存储性能，且其制备方法相对简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393769A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201662.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN103682090B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210345623.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；在所述第一退火处理后的WOx介质层表面上形成Al电极；以及通过第二退火处理以使相互接触的部分所述WOx介质层与部分所述Al电极形成AlOx存储功能层；其中，1≤x≤3。通过该制造方法制备形成的电阻型存储器具有Forming电压小、数据保持特性好、Forming操作成功率高的特点。
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公开(公告)号：CN101393769B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200810201662.X
申请日：2008-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为tf的宽脉冲电信号，其脉宽tf大于电阻存储器均能从初始高阻态向低阻态转变所需时间的上限值tc，以确保阵列中所有电阻存储器均能从高阻值转变为低阻值。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN102347440A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010242549.3
申请日：2010-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器包括下电极、第一金属材料的上电极以及置于所述上电极和下电极之间的基于第二金属材料的金属氧化物存储介质层，所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述上电极在接触所述金属氧化物存储介质层的界面处、被部分氧化形成第一金属的金属氧化物层。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及关态电阻（高阻态）高、高低阻窗口大、数据保持能力好的优点，大大提高了电阻型存储器的存储器性能；并且其制备方法相对简单。
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