公开(公告)号：CN101872645B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200910050102.3

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  张佶 ,  金钢 ,  谢玉凤

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/02 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。

公开(公告)号：CN101872645A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050102.3

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  张佶 ,  金钢 ,  谢玉凤

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/02 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻的数据状态；进一步，由这种选通管复用结构的电阻存储器排列组成的电阻存储器阵列，可以避免因漏电流导致的误读取操作，该电阻存储器阵列具有高可靠性的特点。