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公开(公告)号：CN119560232A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411746990.3
申请日：2024-12-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用，涉及导电薄膜领域，以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层；通过金属薄层施加电压，使透明晶体金属薄层击穿，形成细线状导电通道；通过退火处理，使金属薄层中的金属原子扩散进入细丝状导电通道中，形成导电纤维；将剩下的金属薄层去除，形成透明电极膜。其中，基片为紫外LED、探测器或者太阳能电池的外延片；透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa（1‑x）N、Al2O3或者TiO2等，金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、或者Al。其兼具高导电性和高透明性，结构简单，易于大规模生产。作为紫外光电器件的关键部分，其能够提高器件的光电转换效率，可应用于柔性电子、透明智能器件等诸多领域。
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公开(公告)号：CN119170723A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411282739.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请涉及深紫外LED技术领域，特别涉及一种深紫外LED复合周期性电极及其制备方法、深紫外LED。该制备方法包括以下步骤：准备芯片的外延片；对外延片的P型半导体空穴注入层的表面依次进行旋涂增粘液处理、旋涂光刻胶处理，而后进行烘烤处理；利用MLA光刻系统对外延片进行光刻处理，获得所需光刻图案，光刻图案呈等间距经纬分布，使其由若干矩形方格阵列式排布而成，矩形方格包括四条矩形边，且矩形边与矩形边的端部相交处采用圆点连接；将外延片进行I CP刻蚀后镀上导电电极材料，即得。本申请制得的深紫外LED复合周期性电极采用点线结合和复合有序的经纬排布设计，可使得正面深紫外光的透光效果显著提升，有利于获得高光提取效率的深紫外LED。
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公开(公告)号：CN118207621A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410165143.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种多腔室外延反应器，包括感应线圈、石英管和石墨加热件，感应线圈围设于所述石英管周侧；石墨加热件内具有一个及以上个反应腔，每个反应腔内设置一个托盘，托盘用于承载晶圆。本申请中石墨加热件呈哑铃形状，减小了加热石墨加热件的体积，石墨加热件各部分产生的热量得到充分地利用，减少了电能的消耗，有利于节约资源降低加热成本；石墨加热件的特殊结构结合旋转托盘，降低了片间和片内的温差，提高了温度分布的均匀性，促进外延层生长速率的均匀性、外延层厚度和掺杂浓度分布的均匀性，有利于提高外延层的质量；多个反应腔设置，提高了产能。
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公开(公告)号：CN111293134B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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公开(公告)号：CN117467973A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311459982.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流中沉积于ITO衬底上，生长类石墨相氮化碳薄膜，即完成具有氮空位缺陷的类石墨相氮化碳薄膜。采用化学气相沉积设备(CVD)在ITO衬底上制备了高质量具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜样品，通过将两种前驱体混合的工艺获得了具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜，可以用于日后的光催化制、电催化相关器件的制备，具有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性高，具有一定的经济价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219496A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311225803.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/032
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长低粗糙度超宽禁带氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗蓝宝石衬底并用氮气吹干，然后转入分子束外延系统生长腔内，进行氧等离子体退火；(2)在步骤(1)完成后，进行镓原子沉积，生长氧化镓薄膜，即完成蓝宝石衬底生长氧化镓薄膜。本发明对蓝宝石衬底进行氧等离子体退火后直接生长氧化镓薄膜，使其具有较高的禁带宽度与较低的表面粗糙度。本发明可以应用于日盲区紫外光电探测器的制备，有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性好，具有一定的经济价值。
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公开(公告)号：CN108470793B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p
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公开(公告)号：CN116465912A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310175668.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
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公开(公告)号：CN116314497A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310116610.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。
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公开(公告)号：CN113668052B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110931253.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。
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