公开(公告)号：CN113668052B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110931253.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  陈浩南 ,  陈心路

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。

公开(公告)号：CN113668052A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110931253.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  陈浩南 ,  陈心路

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。