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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN111048641B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN108878547A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高外量子效率的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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公开(公告)号：CN111293134B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331747A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011288517.7
申请日：2020-11-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种全色Micro/Nano LED阵列直接外延方法和结构，包括：1)在衬底外延生长缓冲层、非故意掺杂层以及n型层；2)在n型层上沉积第一介质层，在第一介质层上制作第一组微米或纳米孔阵列，在制成的第一组微米或纳米孔阵列内外延生长第一发光单元；3)制作第二介质层，并在该第二介质层上制作第二组微米或纳米孔阵列，在制成的第二组微米或纳米孔阵列内外延生长第二发光单元；4)制作第三介质层，并在该第三介质层上制作第三组微米或纳米孔阵列，在制成的第三组微米或纳米孔阵列内外延生长第三发光单元；5)使用化学溶液，将介质层腐蚀清除，露出发光单元。本发明避免了巨量转移的难题，可直接外延生长全色Micro/Nano LED阵列，具有巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN113380603B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110541046.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体及其制备方法。该方法为低压化学气相沉积方法，设置级联式递进三温区结构，并于中段梯度温区进行加速混晶分子的气相预替位，实现高效可控二维混晶。本发明制备的高硼组分二维III族多元氮化物混合晶体表面平整性好，用于器件结构中的层间匹配度高，混合晶体中的硼组分高；可作为优良衬底用于制备高质量InAlGaN等多元氮化物半导体，制备性能优良的中子探测器、深紫外LED、深紫外探测器；可广泛应用于紫外固化光源、紫外光通信、紫外空气净化、紫外医疗、紫外水净化、紫外光解油烟等领域。
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公开(公告)号：CN111063753B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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公开(公告)号：CN112864289A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110188161.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种低电流Micro LED芯片外延结构，包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/InGaN量子阱有源层以及p型GaN层，其中所述InGaN/InGaN量子阱有源层的周期数为2个，且所述InGaN/InGaN量子阱有源层之上不设置电子阻挡层。跟传统工作在大电流、大功率下的LED外延结构相比，本发明提供的Micro‑LED芯片的外延结构及其制备方法可提高电子与空穴的注入效率、载流子匹配效果、内量子效率，最终提高了Micro‑LED芯片的整体发光效率，可解决Micro‑LED芯片随着尺寸减小而效率降低的难题，在超高分辨率的Micro‑LED新型显示技术中具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112098481A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010864102.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。
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