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公开(公告)号：CN117646277A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410050731.0
申请日：2024-01-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种铜掺杂氧化锌单晶材料的制备方法，涉及半导体领域。包括以下步骤：1)将氧化锌单晶清洗后用氮气吹干，作为衬底；2)使用磁控溅射法在衬底表面制备一层铜膜；3)将步骤2)沉积薄膜后的衬底置于二维条状光斑连续激光腔内进行激光辐照，即完成制备铜掺杂氧化锌单晶材料。本发明采用一种可作为后处理过程的掺杂方法—激光诱导掺杂法，成功地实现了氧化锌单晶的铜掺杂，能有效地改变其光电性能，而且该方法简单易于操作、掺杂区域可控、掺杂浓度精准可控、直接写入一步完成，具有一定的经济价值。
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公开(公告)号：CN117577516A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311477729.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氧化镁衬底生长掺镁氧化镓薄膜的方法，1)将氧化镁(100)衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子处理；2)将经氧等离子体处理后的氧化镁(100)衬底同步进行镓原子沉积和氧等离子体处理，生长氧化镓薄膜，其中，操作台温度为550～600℃。本发明选择氧化镁(100)衬底生长氧化镓薄膜，利用其不但与氧化镓材料晶体晶格常数较为匹配的特点，而且创造性地凭借氧化镁衬底中Mg原子在高温下十分活泼的特点，创新性地在氧化镁衬底上通过简单的工序在无外来Mg源的基础上，仅凭借衬底中Mg原子的扩散，制备得到了高晶体外延质量的掺Mg氧化镓，为氧化镓半导体材料的p型制备提供了可行性的方案。
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公开(公告)号：CN117467973A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311459982.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种生长具有氮空位类石墨相氮化碳薄膜的方法，包括以下步骤：1)将三聚氰胺与硫脲前驱体机械研磨混合后放入石英坩埚备用，将ITO衬底清洗晾干。然后将坩埚和衬底分别放入CVD管式炉对应的位置；2)将步骤1)衬底升温后，将前驱体加热升华并载气的气流中沉积于ITO衬底上，生长类石墨相氮化碳薄膜，即完成具有氮空位缺陷的类石墨相氮化碳薄膜。采用化学气相沉积设备(CVD)在ITO衬底上制备了高质量具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜样品，通过将两种前驱体混合的工艺获得了具有氮空位的类石墨相氮化碳薄膜，可以用于日后的光催化制、电催化相关器件的制备，具有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性高，具有一定的经济价值。
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公开(公告)号：CN117219496A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311225803.2
申请日：2023-09-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/203 , H01L31/032
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长低粗糙度超宽禁带氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗蓝宝石衬底并用氮气吹干，然后转入分子束外延系统生长腔内，进行氧等离子体退火；(2)在步骤(1)完成后，进行镓原子沉积，生长氧化镓薄膜，即完成蓝宝石衬底生长氧化镓薄膜。本发明对蓝宝石衬底进行氧等离子体退火后直接生长氧化镓薄膜，使其具有较高的禁带宽度与较低的表面粗糙度。本发明可以应用于日盲区紫外光电探测器的制备，有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性好，具有一定的经济价值。
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