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公开(公告)号:CN119546012A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411610705.5
申请日:2024-11-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H10H20/854 , H10H20/853 , H10H20/855 , H10H20/85 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制备方法,其中封装结构包括:三维陶瓷基板,具有凹槽,所述的凹槽具有底部、内侧壁和上表面;深紫外LED芯片,安装在所述三维陶瓷基板的凹槽底部;氟树脂,填充在三维陶瓷基板的凹槽内,并且覆盖在所述的深紫外LED芯片的上表面和侧壁周围,所述的氟树脂为羧基化的氟树脂;光学透镜,安装在深紫外LED芯片和氟树脂之上,并且边缘固定于三维陶瓷基板的上表面上或者侧壁上。通过使用氟树脂和光学透镜来辅助实现光子的提取和汇聚,提升器件在紫外灭活等领域的应用效果,并通过氟树脂的粘附性,提升封装结构的可靠性,并同时提升出光效率和降低成本。
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公开(公告)号:CN118955140A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202410878072.X
申请日:2024-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 本申请提供了一种用于制备致密碳化钽涂层的浆料和烧结方法,浆料为将碳化钽粉末、烧结助剂、粘接剂与有机溶剂按照一定质量分数混合,然后用球磨仪混合悬浊液,形成悬浮液;烧结方法为先将浆料均匀涂覆在石墨件表面,再对涂层进行干燥固化,最后将覆有涂层的石墨件进行烧结。本发明的目的在于以碳化钽粉末和烧结助剂为主体,通过优化的混合溶剂,调配出悬浮稳定性好、固含量高、流动性强、涂覆成膜质量高,涂层经烧结后不龟裂的高质量碳化钽涂层浆料。该方法调配出来的浆料与烧结工艺更加简单,且调配出来的浆料在后续烧结过程中不涉及化学反应,可以避免化学反应过程中副产物产生,制备出来的碳化钽涂层纯度更高、薄膜结晶致密平整。
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公开(公告)号:CN116864441A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310637668.6
申请日:2023-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种气浮基座及外延设备的反应室结构,包括固定基座和支承件,固定基座上形成有旋转槽,支承件可转动地设置在所述旋转槽中,支承件用于承载晶圆或晶圆托盘,支承件底部形成一个同心环状凹陷,环状凹陷内形成有沿圆周均匀分布的凸起,凸起呈V字型,以对驱动气体向支承件切线方向导流,限制驱动气体沿支承件半径方向的流动,减小驱动气体对支承件产生的沿半径方向的压力,从而增大驱动气体对支承件产生的沿切线方向的力,提高了驱动气体的利用率和驱动效率。驱动气体直接对凸起结构施加压力驱动支承件旋转,与只靠粘滞力驱动相比,大大提高了驱动力的大小,提高了支承件的转速。本发明还提供一种半导体外延设备。
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公开(公告)号:CN119694461A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202411767993.5
申请日:2024-12-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C20/70 , G16C20/80 , G06T7/00 , G06V10/82 , G06V10/764 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域,具体涉及一种晶体切割方法、装置及存储介质,该方法包括:获取晶体内部的断层图像;基于所述断层图像,构建三维重构模型;采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷,得到缺陷类别;基于所述缺陷类别和所述三维重构模型,创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型;对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割,得到仿真预切割结果;基于所述仿真预切割结果,确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果,构建晶体的切割参数,从而能够更加高效的切割晶体,减少晶体耗材的浪费。
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公开(公告)号:CN119560232A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411746990.3
申请日:2024-12-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用,涉及导电薄膜领域,以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层;通过金属薄层施加电压,使透明晶体金属薄层击穿,形成细线状导电通道;通过退火处理,使金属薄层中的金属原子扩散进入细丝状导电通道中,形成导电纤维;将剩下的金属薄层去除,形成透明电极膜。其中,基片为紫外LED、探测器或者太阳能电池的外延片;透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa(1‑x)N、Al2O3或者TiO2等,金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、或者Al。其兼具高导电性和高透明性,结构简单,易于大规模生产。作为紫外光电器件的关键部分,其能够提高器件的光电转换效率,可应用于柔性电子、透明智能器件等诸多领域。
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公开(公告)号:CN118207621A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410165143.1
申请日:2024-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种多腔室外延反应器,包括感应线圈、石英管和石墨加热件,感应线圈围设于所述石英管周侧;石墨加热件内具有一个及以上个反应腔,每个反应腔内设置一个托盘,托盘用于承载晶圆。本申请中石墨加热件呈哑铃形状,减小了加热石墨加热件的体积,石墨加热件各部分产生的热量得到充分地利用,减少了电能的消耗,有利于节约资源降低加热成本;石墨加热件的特殊结构结合旋转托盘,降低了片间和片内的温差,提高了温度分布的均匀性,促进外延层生长速率的均匀性、外延层厚度和掺杂浓度分布的均匀性,有利于提高外延层的质量;多个反应腔设置,提高了产能。
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公开(公告)号:CN116465912A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310175668.9
申请日:2023-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法,将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上,通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度,以及形貌特征的鉴别,可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测,直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布,以及缺陷随生长过程的演化情况,可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度,无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
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