公开(公告)号：CN113668052B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110931253.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  陈浩南 ,  陈心路

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。

公开(公告)号：CN113668052A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110931253.0

申请日：2021-08-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 康俊勇 ,  林伟 ,  陈浩南 ,  陈心路

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了非平衡条件下化学势调控生长单体的SiC台阶流快速生长方法。采用富C工艺(Si/H2＝0.97‰，C/Si＝1.55)进行外延层高速生长，生长气氛中保持较高的C源相对化学势μC可以实现外延生长时优先吸附的生长单体为SiC分子，将生长台阶高度稳定在1/2c或1c，在实现高速外延生长的同时，得到较好的表面粗糙度和较低的离化掺杂浓度。

公开(公告)号：CN119243328A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411336816.1

申请日：2024-09-24

Applicant: 厦门大学 ,  嘉庚创新实验室

Inventor： 康闻宇 ,  姚隽祺 ,  康俊勇 ,  陈浩南

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本申请公开了一种4H‑SiC的P型重掺杂化学势调控的生长方法，包括：提供SiC衬底；对SiC衬底进行预处理；通入源气体，以在经过预处理后的SiC衬底的表面上生长P型重掺杂的4H‑SiC外延层；源气体包括：C源气体、Si源气体和P型掺杂源气体；在4H‑SiC外延层的生长过程中，从富C氛围开始生长4H‑SiC外延层，SiC衬底周期性的处于富C氛围和富Si氛围；富C氛围用于降低P型掺杂原子的吸附形成能，提升4H‑SiC外延层在SiC衬底表面的吸附强度；富Si氛围用于增强已吸附的P型掺杂原子与SiC晶体分子之间的成键能力，提高4H‑SiC外延层的生长速度。本申请可以实现外延层的快速均匀生长。