公开(公告)号：CN117577516A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311477729.3

申请日：2023-11-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  鲁浩伟 ,  邓铁龙 ,  楼伟涛 ,  康俊勇

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

Abstract: 一种氧化镁衬底生长掺镁氧化镓薄膜的方法，1)将氧化镁(100)衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子处理；2)将经氧等离子体处理后的氧化镁(100)衬底同步进行镓原子沉积和氧等离子体处理，生长氧化镓薄膜，其中，操作台温度为550～600℃。本发明选择氧化镁(100)衬底生长氧化镓薄膜，利用其不但与氧化镓材料晶体晶格常数较为匹配的特点，而且创造性地凭借氧化镁衬底中Mg原子在高温下十分活泼的特点，创新性地在氧化镁衬底上通过简单的工序在无外来Mg源的基础上，仅凭借衬底中Mg原子的扩散，制备得到了高晶体外延质量的掺Mg氧化镓，为氧化镓半导体材料的p型制备提供了可行性的方案。

公开(公告)号：CN117219496A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311225803.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王惠琼 ,  楼伟涛 ,  邓铁龙 ,  鲁浩伟 ,  康俊勇

IPC: H01L21/203 ,  H01L31/032

Abstract: 在蓝宝石衬底上生长低粗糙度超宽禁带氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗蓝宝石衬底并用氮气吹干，然后转入分子束外延系统生长腔内，进行氧等离子体退火；(2)在步骤(1)完成后，进行镓原子沉积，生长氧化镓薄膜，即完成蓝宝石衬底生长氧化镓薄膜。本发明对蓝宝石衬底进行氧等离子体退火后直接生长氧化镓薄膜，使其具有较高的禁带宽度与较低的表面粗糙度。本发明可以应用于日盲区紫外光电探测器的制备，有很大的应用前景，此方法工艺简单，可重复性好，具有一定的经济价值。