公开(公告)号：CN119694461A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411767993.5

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  叶晓芳 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: G16C60/00 ,  G16C20/30 ,  G16C20/70 ,  G16C20/80 ,  G06T7/00 ,  G06V10/82 ,  G06V10/764 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种晶体切割方法、装置及存储介质，该方法包括：获取晶体内部的断层图像；基于所述断层图像，构建三维重构模型；采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷，得到缺陷类别；基于所述缺陷类别和所述三维重构模型，创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型；对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割，得到仿真预切割结果；基于所述仿真预切割结果，确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果，构建晶体的切割参数，从而能够更加高效的切割晶体，减少晶体耗材的浪费。

公开(公告)号：CN116465912A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310175668.9

申请日：2023-02-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  叶晓芳 ,  康闻宇 ,  姜伟 ,  康俊勇

IPC: G01N23/046

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。