公开(公告)号：CN116314497A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310116610.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴志明 ,  胡玮琳 ,  许飞雅 ,  吴雅苹 ,  李煦 ,  康俊勇

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。