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公开(公告)号：CN113871468B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113013229A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110209222.4
申请日：2021-02-25
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。
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公开(公告)号：CN113871468A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
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公开(公告)号：CN119063832B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411559845.4
申请日：2024-11-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多芯光纤的二维微弱振动探测仪及实时分析方法，属于微弱振动测量技术领域，通过一束激光出射后，经过连接振动源的凹面反射镜反射，反射光分光后分别在单芯光纤与四芯光纤端面进行耦合。当振动源带动反射镜振动时，反射光斑将发生偏移，从而改变光与光纤的耦合效率。光纤出射端则连接探测器，探测到出射光功率大小及分布后，通过数据采集卡导入电脑端进行自动化的采集与数据处理。本实验以光斑‑单芯光纤最大耦合位置作为基准矫正测量零点，设计光路通过反射镜引起光斑移动，再通过出射光光功率与反射镜位移之间的映射关系进行静态定标，从而获得耦合效率与反射镜位置的定量关系，由此实现动态振动的位移、频率的实时测量。
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公开(公告)号：CN112635657B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202011593539.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且在低输入功率下具有较高的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118731419A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749996.X
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明具体公开了一种适用于扫描隧道显微分析的薄层层状材料剥离的方法，包括以下步骤：取层状材料单晶块体置于两片PDMS薄膜之间，压紧贴实后撕掉一层PDMS薄膜，得到层状材料单晶块体/PDMS薄膜；取高真空导电胶涂于衬底表面，然后将所得层状材料单晶块体/PDMS薄膜的层状材料单晶块体表面与衬底压紧贴实，得到PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；将PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底加热使导电胶固化，加热结束后将PDMS薄膜撕掉，得到层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；取粘性胶带贴合于层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底的层状材料单晶块体的外表面，然后迅速撕掉胶带，重复该过程直到层状材料呈浅蓝色或接近透明。
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公开(公告)号：CN118431333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410490284.0
申请日：2024-04-23
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H03K19/14 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种互补型自旋能谷光电晶体管，包括半导体沟道层、源电极、漏电极和自旋极化材料层；源电极和漏电极设于半导体沟道层上，自旋极化材料层位于半导体沟道层上方或下方并构成异质结；自旋极化材料层包括磁性半导体或磁性绝缘体；源漏电极和自旋极化材料层可通过外加磁场调控磁化方向而使自旋能谷光电晶体管呈现出互补特性。本发明引入自旋极化材料提升了半导体通道的自旋输运选择性，进而提升器件的自旋极化率。在此基础上，构建出光电三态门和光电逻辑电路，可用于光电隔离控制等场景。
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公开(公告)号：CN108169518B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711406378.1
申请日：2017-12-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 形貌可控扫描隧道显微镜针尖制备系统，涉及扫描隧道显微镜。包括腐蚀平台、工作电路和控制软件，可制备用于STM测试需要的各种针尖。其中腐蚀平台包括装有腐蚀液体的电解池、用于固定和调节金属丝位置的探针定位机构以及可实时观察腐蚀过程中针尖形貌变化的监测平台；而工作电路为电解池供电，同时采集针尖电压信号，反馈给计算机控制软件，并由电机驱动电路控制步进电机完成探针的给进和提拉动作；控制软件则控制可编程电源输出不同变化模式电流，并根据采集卡反馈的电压信号，在针尖拉断瞬间及时关断电源，触发步进电机提取针尖。基于实时控制、实时观测及反馈，实现动态腐蚀过程的可控操作，从而制备出所需的不同形貌STM用针尖。
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公开(公告)号：CN109216401A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803231.4
申请日：2018-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III-VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。
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公开(公告)号：CN106637416A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611236161.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B30/04 , C30B23/002 , C30B23/025 , C30B23/06 , C30B29/02 , H01L22/14 , H01L43/12 , C30B23/02 , G01R33/07 , G01R33/09
Abstract: 矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点，使多束源能移出强磁场腔体。有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
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