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公开(公告)号：CN108470793B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p
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公开(公告)号：CN108470793A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
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公开(公告)号：CN208399714U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201820793672.6
申请日：2018-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件的氮化物电介质结构，包括：衬底；AlN缓冲层，设置于衬底之上；超晶格层，覆盖于缓冲层之上；所述超晶格层由AlN层和GaN层周期性交替层叠形成；所述超晶格层上刻蚀形成若干孔洞，所述孔洞的形状为倒六棱台或倒六棱锥。本实用新型实现大面积、亚波长量级的小尺寸光子晶体的六棱锥、六棱台结构，形状更为复杂，以更加精确地调控光子的运动。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208062085U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820271210.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本实用新型提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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