公开(公告)号：CN118244393A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410552650.0

申请日：2024-05-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 毛旭 ,  余钢 ,  杨富华 ,  王晓东

IPC: G02B3/02 ,  G02B3/10 ,  G02B1/00 ,  G02B27/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开涉及一种动态单波长多焦点超透镜结构及其制备方法和应用。该动态单波长多焦点超透镜结构包括：支撑基底；形成于该支撑基底上具有多个纳米结构单元的超表面结构单元阵列；该超表面结构单元阵列采用不同尺寸单元结构的传输超表面和不同单元结构不同方向的几何超表面，实现基于传输相位原理的超透镜结构和基于几何相位原理的超透镜结构中的至少一种，进而实现单独超透镜的动态和多焦点聚焦。利用本发明，能够实现单独超透镜的动态和多焦点聚焦，既能为各种显微镜和激光打孔等设备提高速度，也能为光镊更精准的操控细胞和量子点。

公开(公告)号：CN117936377A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410094893.4

申请日：2024-01-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 周琳渊 ,  高琳 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  H01L21/266

Abstract: 本公开提供了一种利用具有厚度选择性的碳膜对SiC器件实现温度与区域可控的激光退火激活方法，包括：利用光刻和高能离子注入技术在SiC晶圆表面形成目标器件的各个离子注入区；清洗SiC晶圆，在SiC晶圆表面旋涂光刻胶，经显影后，完成离子注入区的表面的光刻胶覆盖；对离子注入深度和浓度不同的离子注入区进行二次涂胶及光刻显影，对不同的离子注入区进行不同厚度的光刻胶覆盖；热解碳化光刻胶，在各离子注入区上形成图形化和厚度区域具有选择性的碳膜；辐照SiC晶圆进行脉冲激光退火激活，使SiC晶圆上由离子注入产生的非晶掺杂区在亚熔化态发生重结晶，并修复离子注入所带来的晶格畸变，激活非晶掺杂区的离子；完成激活处理后，去除SiC晶圆表面的碳膜。

公开(公告)号：CN117729832A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211092175.0

申请日：2022-09-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  魏磊 ,  尤志伟 ,  张明亮 ,  刘雯 ,  杨富华

IPC: H10N10/855 ,  H10N10/82 ,  H10N10/851 ,  H10N10/01 ,  H10N10/80 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开提供一种悬空MEMS热电器件及其制备方法，用于硅材料弹道热输运的测试研究，悬空MEMS热电器件包括：基底；悬空岛对，基底上设有至少一组悬空岛对，每组悬空岛对包括两个悬空岛，每个悬空岛包括：硅薄膜和氮化硅薄膜，其中硅薄膜与氮化硅薄膜一体化成型；悬臂，每个悬空岛的氮化硅薄膜通过悬臂与基底连接，使硅薄膜悬空设置于基底上；悬链，每组悬空岛对中的两个硅薄膜之间通过至少一根悬链连接，其中，悬链的两端分别与两个硅薄膜一体化成型；金属组件，设于氮化硅薄膜上，用于辅助对硅薄膜的弹道热输运进行测试。该悬空MEMS热电器件能够减小MEMS悬空器件接触热阻，实现对硅材料中弹道热输运的精准测试。

公开(公告)号：CN117192656A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311085075.X

申请日：2023-08-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 毛旭 ,  余钢 ,  赵永梅 ,  魏博 ,  申超 ,  杨香 ,  杨富华 ,  王晓东

IPC: G02B1/00 ,  G02B27/00

Abstract: 本公开提供了一种基于空间交错复用几何相位原理的RGB消色差超透镜结构，包括：支撑基底；形成于该支撑基底上的隔离层；形成于该隔离层上的超透镜结构材料层。该超透镜结构材料层分布有由多个空间交错小型阵列单元以周期性排布形式构成的超透镜空间交错复用阵列，每个空间交错小型阵列单元包括三种基于空间交错复用并满足几何相位原理的纳米结构单元小阵列，这三种纳米结构单元小阵列的焦距或焦点一致，能够实现对入射光束的消色差聚焦。利用本发明，解决了现有基于传输相位原理的消色差超透镜结构复杂、工艺难度大和难以实现大面积的问题。

公开(公告)号：CN115101579A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210680756.X

申请日：2022-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨军 ,  贾利芳 ,  樊中朝 ,  何志 ,  杨香 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺杂p‑GaN层，沉积于重掺杂p‑GaN层上，轻掺杂p‑GaN层两侧形成沟槽结构；栅介质层，覆盖轻掺杂p‑GaN层的侧壁与沟槽结构，和重掺杂p‑GaN层的侧壁；以及栅金属层，与轻掺杂p‑GaN层顶部接触，用于与轻掺杂p‑GaN层形成栅极肖特基接触，本发明克服了传统p‑GaN栅HEMT器件的栅击穿电压普遍小于10V的问题，大幅提升了GaNHEMT器件的栅极正向击穿电压，降低了栅极泄露电流。

公开(公告)号：CN112420603A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011316880.5

申请日：2020-11-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  宋培帅 ,  韩国威 ,  何昱蓉 ,  杨富华

IPC: H01L21/768 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法，包括：S1，在SOI晶圆的顶硅层(1)制作欧姆接触区(7)；S2，采用刻蚀出凹槽的玻璃片(8)与顶硅层(1)阳极键合；S3，将欧姆接触区(7)作为刻蚀阻挡层，并在SOI晶圆的背硅层(2)上刻蚀通孔；S4，在通孔内壁溅射二氧化硅层(5)；S5，采用皮秒或飞秒激光刻蚀通孔底部的二氧化硅；S6，在二氧化硅层(5)内壁溅射金属种子层(3)；S7，在金属种子层(3)内壁电镀金属填料层(4)；S8，减薄抛光背硅层(2)，得到MEMS传感器垂直电学互连结构。本发明的制备方法能够节省芯片布局布线的面积，在降低功耗的同时增大了信号的传输频率，提高了芯片的性能。

公开(公告)号：CN111579147A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010482344.6

申请日：2020-05-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张明亮 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G01L13/00 ,  G01L19/00 ,  G01L19/04 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 一种谐振式MEMS差压压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：对硅片进行双面刻蚀，形成谐振子层；将硅层与玻璃层阳极键合，刻蚀玻璃层，形成图案化玻璃组合体；将谐振子层的一面与一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合；在谐振子层上形成谐振子；在谐振子层上形成测温pn结；将谐振子层的另一面与另一所述图案化玻璃组合体的玻璃面对准阳极键合，形成双面键合组合体；对双面键合组合体进行双面刻蚀，在两个硅层上分别形成感压膜；将两个硅面分别与玻璃保护盖板对准阳极键合；双面淀积金属。该制备方法与CMOS工艺兼容，可以大批量制造，在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。

公开(公告)号：CN111400848A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811616335.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 张博文 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G06F30/20 ,  H01Q1/22

Abstract: 本发明公开了一种基于场效应晶体管的太赫兹波探测器的天线设计方法，包括：构建一太赫兹波探测器模型；设置一束频率变化的平面太赫兹波，垂直入射到集成天线的太赫兹波探测器模型上；提取所述太赫兹波探测器模型的场效应晶体管的沟道中一位置的电场强度；计算所述天线在不同频率处产生的电场增强，得到电场增强随频率的变化关系；根据计算得出的所述变化关系获取所述天线的中心频率；根据所述天线的中心频率确定天线的结构以及尺寸。本发明不用提取场效应晶体管的栅源电极之间的输入阻抗，同时可以直观地与太赫兹波探测器响应度相关联，是一种直观有效的太赫兹天线设计方法。

公开(公告)号：CN109682364A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811529259.X

申请日：2018-12-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 杨健 ,  韩国威 ,  司朝伟 ,  王晓东 ,  宁瑾 ,  颜伟 ,  刘雯 ,  杨富华

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/56

Abstract: 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪，该压电MEMS解耦结构，包括：一T型梁结构，包括一体化的横梁和纵梁，该T型梁结构自下而上依次包括：衬底、下电极层和压电材料层；第二上电极，作为检测电极，呈T型，位于T型梁结构之上，关于纵梁中心线对称；以及第一上电极和第三上电极，作为驱动电极，位于纵梁之上，对称分布于纵梁中心线两侧，与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构，并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极，实现了完全解耦，可有效提高陀螺仪的检测精度。

公开(公告)号：CN108190829A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201711498024.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张明亮 ,  季安 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01L1/10 ,  G01L9/00

Abstract: 本公开提供了一种基于离子注入石墨烯谐振式MEMS压力传感器的制备方法，在单晶硅衬底上形成介质层，并形成感压薄膜；在感压薄膜正面淀积金属催化剂层，在谐振子区域离子注入碳，并促使石墨烯生长；淀积刻蚀金属以形成电学互联；刻蚀介质层，释放形成石墨烯谐振子；制作玻璃封装盖板，将玻璃封装盖板与石墨烯谐振子所在面对准键合；制作玻璃保护板，将玻璃保护板与感压薄膜的背面深腔所在面对准键合，划片成分离压力传感器芯片。