公开(公告)号：CN115224147A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110427659.5

申请日：2021-04-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  包怡迪 ,  刘雯 ,  赵永强 ,  魏磊 ,  杨富华

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。

公开(公告)号：CN117729832A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202211092175.0

申请日：2022-09-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  魏磊 ,  尤志伟 ,  张明亮 ,  刘雯 ,  杨富华

IPC: H10N10/855 ,  H10N10/82 ,  H10N10/851 ,  H10N10/01 ,  H10N10/80 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开提供一种悬空MEMS热电器件及其制备方法，用于硅材料弹道热输运的测试研究，悬空MEMS热电器件包括：基底；悬空岛对，基底上设有至少一组悬空岛对，每组悬空岛对包括两个悬空岛，每个悬空岛包括：硅薄膜和氮化硅薄膜，其中硅薄膜与氮化硅薄膜一体化成型；悬臂，每个悬空岛的氮化硅薄膜通过悬臂与基底连接，使硅薄膜悬空设置于基底上；悬链，每组悬空岛对中的两个硅薄膜之间通过至少一根悬链连接，其中，悬链的两端分别与两个硅薄膜一体化成型；金属组件，设于氮化硅薄膜上，用于辅助对硅薄膜的弹道热输运进行测试。该悬空MEMS热电器件能够减小MEMS悬空器件接触热阻，实现对硅材料中弹道热输运的精准测试。

公开(公告)号：CN115224147B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202110427659.5

申请日：2021-04-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王晓东 ,  包怡迪 ,  刘雯 ,  赵永强 ,  魏磊 ,  杨富华

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。