公开(公告)号：CN115101579A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210680756.X

申请日：2022-06-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨军 ,  贾利芳 ,  樊中朝 ,  何志 ,  杨香 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种GaN场效应晶体管，包括衬底；外延层，外延层设置有源极、漏极，以及靠近源极的外延槽；栅极结构，设置于外延槽内，栅极结构包括：重掺杂p‑GaN层，沉积于外延槽底部，用于耗尽栅极结构的二维电子气导电沟道；轻掺杂p‑GaN层，沉积于重掺杂p‑GaN层上，轻掺杂p‑GaN层两侧形成沟槽结构；栅介质层，覆盖轻掺杂p‑GaN层的侧壁与沟槽结构，和重掺杂p‑GaN层的侧壁；以及栅金属层，与轻掺杂p‑GaN层顶部接触，用于与轻掺杂p‑GaN层形成栅极肖特基接触，本发明克服了传统p‑GaN栅HEMT器件的栅击穿电压普遍小于10V的问题，大幅提升了GaNHEMT器件的栅极正向击穿电压，降低了栅极泄露电流。