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公开(公告)号：CN103969843A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410174953.X
申请日：2014-04-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强表面等离子体光场激发强度的方法，采用器件包括透明基底、纳米结构层、金属/介质多层膜和激发增强层；透明基底上的纳米结构层将照明平面波衍射为各级次平面波。利用金属/介质多层膜的超衍射频谱操控光学特性，对于各级次平面波透射金属/介质多层膜后将产生特定单一级次的表面等离子体光场，激发增强层能够极大地增强金属/介质多层膜滤波产生的表面等离子体光场的激发强度，最终可以在激发增强层的上表面形成纵向5nm～50nm范围内倏逝的表面等离子体光场。本发明可以实现高度倏逝局域、高激发效率和高信噪比的表面等离子体光场。有望用于超分辨显微的结构照明、表面等离子体干涉光刻、表层显微、表面等离子体生物传感等领域。
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公开(公告)号：CN103454866A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310438387.4
申请日：2013-09-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了基于表面等离子体波照明的光刻成像设备及光刻成像方法。一示例光刻成像设备可以包括：表面等离子体SP波照明场产生装置，被配置为接收以一定方向入射的远场照明光束，以产生特定传输波长的SP波照明场。SP波照明场可以通过掩模激发待成像的光场。远场照明光束的入射角度可以被设置为能够产生特定传输波长的SP波照明场，实现SP波通过掩模层的+1级或-1级衍射光与0级衍射光发生干涉。
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公开(公告)号：CN103399461A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310361799.2
申请日：2013-08-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于双层胶技术的掩模平坦化方法，其主要步骤为：在平面或者曲面基底上沉积铬膜层并制备掩模图形，之后在其上先后涂敷光刻胶A和光刻胶B，采用中心波长为365nm的紫外曝光光源从基底的背面入射，使光刻胶B感光，利用光刻胶A在光刻胶B显影液中的溶解速率大于光刻胶B在光刻胶B显影液中的显影速率的特性形成侧向沟槽，再利用电子束蒸镀沉积二氧化硅，厚度和掩模铬层厚度相等。将掩模浸泡于有机溶剂中去除A、B光刻胶，最后得到平坦化的掩模。该方法可以应用到一体式曝光器件的掩模平坦化工艺中，如Superlens和缩小Hyperlens器件的掩模平坦化工艺。
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公开(公告)号：CN103399459A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310340709.1
申请日：2013-08-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种用于制备金属/介质纳米多层膜高质量断面的方法，其步骤为：在基底上制备平面或曲面金属/介质纳米多层膜；在多层膜上旋涂光刻胶，前烘，得到样片；用玻璃刀在样片背面划痕，掰断，得到多层膜粗糙断面；在断口边缘处进行掩模移动曝光；显影、坚膜，得到截面边缘平整的光刻胶掩蔽层；坚膜后的样片放入离子束刻蚀设备中，选择合适的离子束流和角度进行刻蚀；刻蚀后，取出样片，去除样片上剩余的光刻胶，金属/介质纳米多层膜高质量断面制作完成。基于离子束流刻蚀制备金属/介质纳米多层膜断面的方法，能得到边缘整齐、低缺陷的金属/介质纳米多层膜高质量断面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103078185A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310030029.X
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于人工电磁结构材料的高增益低雷达散射截面平板天线，该天线由微带贴片和正反两面具有不同反射特性的周期性人工结构材料构成。该人工结构材料由介质基板，以及在基板正面制作的周期性金属方环结构和反面制作的周期性开口缝隙金属平面结构构成。正面金属方环结构的四边中心处加载了集中电阻元件。当电磁波从人工结构材料正面入射时，电磁波能量主要被吸收；当电磁波从人工结构材料反面入射时，电磁波能量主要被反射。将人工结构材料放置在微带贴片上方作为覆层，其反面作为部分反射表面和微带贴片的金属接地板构成F-P谐振腔，提高天线的辐射增益；其正面可以吸收外来入射波，降低天线的雷达散射截面。
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公开(公告)号：CN101740872B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910243549.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 一种基于周期金属线的宽带半反半透膜层，其特征包括以下几点：(1)该膜层由上下两组金属化介质板阵列组成，其整体厚度为d；(2)金属化介质板由介质板以及覆盖在介质板上的金属膜层组成；(3)上下两组金属化介质板阵列均分别由三层单层金属化介质板层叠组成；(4)所有介质板以及板上的金属线均只在一个方向上按相同周期p排列；(5)上(下)组介质板阵列的金属线宽度为w1(w2)；(6)上下两组介质板阵列可以互换；(7)所有金属线厚度均为h1；(8)所有介质板厚度均为h2；(9)所有介质板宽度均为w；(10)金属线的宽度w1，w2；膜层整体厚度d；排列周期p均可以同时按照比例k调整。本发明具有制作简便，易于操作，工作频带宽，工作频段任意可调的特性，在微波、太赫兹波段都具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN102636965A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210107638.6
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体超分辨干法光刻方法，其步骤为：1)清洗基片；2)在基片上镀一层无机光刻胶TeOx；3)于TeOx膜层上镀一层金属薄膜；4)如此反复镀若干周期，最后一层为无机光刻胶；5)将多层膜置于一定图形的掩模板下进行曝光；6)曝光后的多层膜进行干法显影；7)去除残余的Ag层，制作完成。本发明利用干法对无机光刻胶进行显影，能得到边缘规则、陡直的图形，克服了传统有机光刻胶所存在的溶剂膨胀效应导致的图形边缘不规则，及后烘容易带来图形线条坍塌等问题；此外，金属层可以放大倏矢波的传播，降低在曝光过程中光的衍射效应。因此，可实现对SP光刻图形质量的提高。
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公开(公告)号：CN102621610A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107598.5
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种高分辨力超衍射聚焦结构透镜的制作方法，该方法选取合适的基底材料，在基底上蒸镀或溅射沉积一层金属膜，让一定偏振态的单色光垂直于金属膜上表面入射；选取金属膜上表面的中心点为坐标原点，过中心点的坐标轴分别为x轴和y轴，垂直于金属膜的中心点连线为z轴；依据等光程原理，计算出金属膜的Fresnel各级环带位置；利用现有纳米加工技术，对金属膜的各环带区域开纳米小孔。环带区域内纳米小孔的周期或非周期排布位置由入射光的偏振态决定；紧接着交替蒸镀或溅射沉积纳米厚度的金属和介质平面多层膜结构。本发明所设计的透镜结构简单，可以用于纳米光刻和数据存储，大量提高电子器件的集成度，具有广阔的发展前景。
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公开(公告)号：CN102565930A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210026572.8
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于平面金属条的光波导及其制备方法，其结构特征包括掺杂硅层及其上加工的平面金属条。制作流程包括：选择合适的绝缘硅(SOI)，在掺杂硅表面沉积一层金属膜，再在金属膜表面涂覆抗蚀剂，利用紫外纳米压印技术在抗蚀剂上制作图形，最后通过干法刻蚀得到基于平面金属条的光波导。本发明中的光波导是由平面金属条制备于掺杂硅表面而成，可以使其在约束光波和降低能量损耗方面有明显改善；同时使用SOI片，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，保证了掺杂的浓度和均匀度；另外，本发明采用紫外纳米压印技术可以获得大面积、均匀度好的平面金属条，并降低了成本。
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