透镜系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114217451B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202111514959.3

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明提供一种透镜系统,涉及光学测量仪器技术领域。该透镜系统设置于椭偏仪上,包括:会聚镜组和恢复镜组,其中,椭偏仪具有发射测量臂和接收测量臂,会聚镜组设置于发射测量臂的输出光路上,恢复镜组设置于接收测量臂的输入光路上;发射测量臂用于产生入射平行光束,会聚镜组用于将入射平行光束会聚,会聚后的光束经过被测样品反射后形成发散光束,恢复镜组用于将发散光束恢复为出射平行光束,接收测量臂用于接收出射平行光束。本发明可在300nm~700nm光谱范围内、在±1.8度视场范围内,将椭偏仪测量光束的直径减小到0.015mm~0.05mm,从而提高测量分辨率。

    透镜系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114217451A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111514959.3

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明提供一种透镜系统,涉及光学测量仪器技术领域。该透镜系统设置于椭偏仪上,包括:会聚镜组和恢复镜组,其中,椭偏仪具有发射测量臂和接收测量臂,会聚镜组设置于发射测量臂的输出光路上,恢复镜组设置于接收测量臂的输入光路上;发射测量臂用于产生入射平行光束,会聚镜组用于将入射平行光束会聚,会聚后的光束经过被测样品反射后形成发散光束,恢复镜组用于将发散光束恢复为出射平行光束,接收测量臂用于接收出射平行光束。本发明可在300nm~700nm光谱范围内、在±1.8度视场范围内,将椭偏仪测量光束的直径减小到0.015mm~0.05mm,从而提高测量分辨率。

    一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法

    公开(公告)号:CN109669323A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811510455.2

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明提出一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法,在硅基底或硅膜层上制备包含有介质层和金属层的共振腔结构,在共振腔结构上制备一层特殊感光材料。上层感光材料在一定传统干涉光刻照明条件下透过率或/和折射率发生明显变化,并在第二次照明中作为振幅型掩模光栅使用。硅基底/感光材料/金属层组成的共振腔结构可以激发表面等离子体效应,并在共振腔体内实现上层感光材料形成的振幅型掩模光栅高频横向波矢的干涉,从而实现大面积的超分辨光刻。该方法与传统的干涉光刻相结合,通过共振腔结构的二次干涉效应,可将传统干涉光刻的分辨力至少提高2倍,为百纳米量级以下特征尺寸的硅基功能器件的制备提供了一种廉价的、简单的方法。

    一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法

    公开(公告)号:CN102633229B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201210107636.7

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法,其主要步骤为:利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽,然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜,之后利用IBE对多层膜进行刻蚀,得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作,只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后,再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。

    表面等离子体功能结构器件及低能电子的纳米光刻方法

    公开(公告)号:CN103488059A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310441343.7

    申请日:2013-09-25

    Abstract: 本发明提供表面等离子体功能结构器件及低能电子的纳米光刻方法,步骤S1:制备含有石英棱镜、金属Ag膜层、光电转换材料膜层、电感线圈、金属电极、基底、光刻胶膜层的表面等离子体功能结构器件,入射光经过该器件表面得到纳米图形的光场分布;步骤S2:在该器件表面制备光电转换材料膜层,将所需的纳米图形的光场转换为低能辐射电子;步骤S3:在基底上制备光刻胶膜层;步骤S4:在光电转换材料膜层与光刻胶膜层之间外加加速电场和聚焦磁场,使得低能辐射电子穿越光电转换材料膜层与光刻胶膜层之间的真空空间,然后在光刻胶膜层的表面成像,再经过显影光刻得到与表面等离子体功能结构器件表面纳米图形一致的纳米光刻胶膜层的图形。

    一种光栅辅助纳米成像的光刻方法

    公开(公告)号:CN102866594A

    公开(公告)日:2013-01-09

    申请号:CN201210365973.6

    申请日:2012-09-27

    Abstract: 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法,纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域,在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅,该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波;在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组,利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅,将传输波转化为高频倏逝波,最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化,同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像,得到了亚波长尺度的成像,突破了常规超衍射材料近场限制,物像空间位置关系可处于远场范围,且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素,拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。

    一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法

    公开(公告)号:CN102633229A

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201210107636.7

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 本发明提供一种利用两次离子束刻蚀技术制备成像面为平面的超透镜制备方法,其主要步骤为:利用IBE刻蚀半圆柱形沟槽得到和其曲率半径相同但是径深减小的圆弧形曲面沟槽,然后在圆弧形曲面沟槽内沉积多层膜,之后利用IBE对多层膜进行刻蚀,得到成像面为平面的超透镜。该方法不需要制备非均匀厚度的薄膜实现平面超透镜的制作,只需要采取常用的IBE技术就可以获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,在圆弧形曲面沟槽上沉积厚度均匀的多层膜以后,再次通过IBE刻蚀技术就可以在圆弧形曲面沟槽上制备出成像面为平面的超透镜。本发明只需要采用常规的离子束刻蚀技术、薄膜沉积技术、反应离子刻蚀技术就可获得与半圆柱形沟槽曲率相同的任意径深的圆弧形曲面沟槽,并在此基础上制备出成像面为平面的超透镜。

    高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法

    公开(公告)号:CN102628808A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210107599.X

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法,该方法首先是在1cm×1cm的双面精抛光石英基底上通过自组装的方法得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列;再采用反应离子刻蚀工艺对制作的单层纳米球阵列进行刻蚀,改变纳米球之间间隙的尺寸大小;最后通过银纳米薄膜沉积和Lift off工艺得到结构周期为430nm,粒子直径为160nm,局域表面等离子体共振波长为780nm的表面增强拉曼芯片。本发明的表面增强拉曼芯片可检测出10nM浓度的若丹明6G分子;且同一高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的7处不同位置处10μM浓度的若丹明6G分子的拉曼光谱曲线的特征峰值强度偏差为±3%,可满足生物、化学物质的快速特异性检测需求。

    一种用于光刻的高效超分辨聚焦器件制备方法

    公开(公告)号:CN102621820A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210107586.2

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 本发明提供一种用于光刻的高效超分辨聚焦器件制备方法,该方法首先确定入射波,再选取合适的基底材料,在基底上蒸镀或溅射沉积一层金属膜,让入射波垂直于金属膜表面入射;在金属膜上表面取中心点为原点,选定x轴方向及y轴方向,取垂直于金属膜表面方向为z轴方向;依据等光程原理计算菲涅尔各级波带的位置及宽度;在金属膜中心位置开出奇数级或偶数级菲涅尔波带环形条缝;利用现有纳米加工技术制作菲涅尔波带及凹槽;在金属膜上交替蒸镀或溅射沉积厚度为纳米级别的金属与介质多层薄膜以支持高频信息的传输;最后在多层膜上涂布光刻胶及沉积反射金属层即可得到超分辨的聚焦器件。本发明所设计的透镜结构简单,具有广阔的发展前景。

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