公开(公告)号：CN102468321A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110355291.2

申请日：2011-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  朴仁善 ,  白寅圭 ,  李炳讚 ,  姜尚范 ,  宋宇彬

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。

公开(公告)号：CN1222765A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98115946.X

申请日：1998-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴仁善 ,  李相旼 ,  朴昌洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3162

Abstract: 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。

公开(公告)号：CN1503344A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李絃德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。

公开(公告)号：CN1051400C

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00 ,  B44C1/22 ,  B05D3/06 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN103151334A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210524164.5

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  朴仁善 ,  金会承 ,  白宗玟

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C25D3/38 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。在所述方法中，可以在单元凹陷区和周边电路区之间形成伪凹陷区。由于伪凹陷区的存在，可以减小伪图案区附近电镀溶液中所含的抑制剂的浓度梯度，以使单元图案区中抑制剂的浓度更均匀，并向单元图案区更有效地供给电流。结果，在单元图案区中能更均匀地形成电镀层，其中没有空隙形成。

公开(公告)号：CN100524697C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN1877810A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610074174.8

申请日：2006-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  朴知淳 ,  姜东祚 ,  金廷昱 ,  朴仁善 ,  李怰锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 一种多层半导体器件及其制造方法，包括第一有源半导体结构，第一有源半导体结构上的第一绝缘层，第一绝缘层上和第一有源半导体结构上的第二有源半导体结构，第二有源半导体结构上的第二绝缘层，以及包括第一欧姆接触和第二欧姆接触的接触结构，第一欧姆接触在第一有源半导体结构的上表面上具有一垂直厚度，第二欧姆接触在第二有源半导体结构的侧壁上具有一横向厚度，该垂直厚度大于横向厚度。

公开(公告)号：CN1235372A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN98125263.X

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  金晟泰 ,  李斗焕 ,  许元九

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层,其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面,形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层,填充接触孔。进行第二热处理,用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙,从而防止金属互连中电阻增加。

公开(公告)号：CN103151334B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210524164.5

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪琮沅 ,  朴仁善 ,  金会承 ,  白宗玟

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C25D3/38 ,  C25D5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和由此制造的半导体器件。在所述方法中，可以在单元凹陷区和周边电路区之间形成伪凹陷区。由于伪凹陷区的存在，可以减小伪图案区附近电镀溶液中所含的抑制剂的浓度梯度，以使单元图案区中抑制剂的浓度更均匀，并向单元图案区更有效地供给电流。结果，在单元图案区中能更均匀地形成电镀层，其中没有空隙形成。

公开(公告)号：CN101271961A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810083078.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  姜信在 ,  朴仁善 ,  林炫锡 ,  吴圭焕

IPC: H01L45/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0623 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/252 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。