公开(公告)号：CN100524697C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。

公开(公告)号：CN103426984A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310170557.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  金玄永 ,  宋尚烨

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种制造氮化镓（GaN）基半导体发光器件的方法。在衬底上形成发光结构，并且该发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓（Ga）的氮化物半导体形成的p型半导体层。在p型半导体层上沉积金属层，并进行热处理，以形成镓-金属化合物。去除在p型半导体层上形成的镓-金属化合物。在已去除了镓-金属化合物的p型半导体层的上表面上沉积电极。镓-金属化合物的形成包括在p型半导体层的表面中形成镓空位。

公开(公告)号：CN1790675A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118196.5

申请日：2005-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  曹永周 ,  金晟泰 ,  朴仁善 ,  李铉德 ,  李炫锡 ,  郑正喜 ,  金玄永 ,  林炫锡

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。