公开(公告)号：CN102856383A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210226910.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳讃 ,  李善佶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。

公开(公告)号：CN102856383B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201210226910.2

申请日：2012-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  金男奎 ,  宋宇彬 ,  郑秀珍 ,  金永弼 ,  李炳讃 ,  李善佶

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括基板和在该基板上且彼此间隔开的第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域。沟道区域在该基板上且位于第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域之间。栅极电极位于沟道区域上。沟道区域是外延层，且第一应力生成外延区域和第二应力生成外延区域向沟道区域施加应力。

公开(公告)号：CN102468321A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110355291.2

申请日：2011-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴兴圭 ,  朴仁善 ,  白寅圭 ,  李炳讚 ,  姜尚范 ,  宋宇彬

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/18

CPC classification number: H01L27/1021 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。