公开(公告)号：CN1107346C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN98117446.9

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪锡智

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10852

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法，通过在DRAM单元区内形成电容并在平面化之前淀积第一绝缘层之后在逻辑区内形成高度与电容类似的金属互连能使DRAM和逻辑区之间的台阶最小化。虽然第二绝缘层淀积在衬底上，但由于在逻辑区内形成金属互连可以使DRAM单元区和逻辑区之间的台阶最小化。由此，虽然仅使用CMP或深腐蚀工艺，可以进行第二绝缘层的平面化。

公开(公告)号：CN1051400C

公开(公告)日：2000-04-12

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00 ,  B44C1/22 ,  B05D3/06 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN1210365A

公开(公告)日：1999-03-10

申请号：CN98117446.9

申请日：1998-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪锡智

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L27/10811 ,  H01L27/10852

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法,通过在DRAM单元区内形成电容并在平面化之前淀积第一绝缘层之后在逻辑区内形成高度与电容类似的金属互连能使DRAM和逻辑区之间的台阶最小化。虽然第二绝缘层淀积在衬底上,但由于在逻辑区内形成金属互连可以使DRAM单元区和逻辑区之间的台阶最小化。由此,虽然仅使用CMP或深腐蚀工艺,可以进行第二绝缘层的平面化。

公开(公告)号：CN1073551A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸蒸汽及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基板上沉积含有高浓度的硼素及亚磷的绝缘膜的步骤，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理的步骤，以及在低温下进行回流处理的步骤。

公开(公告)号：CN1110071C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98114960.X

申请日：1998-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  崔志铉 ,  洪锡智

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31055

Abstract: 一种平面化半导体基片的方法，利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是：湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止；在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层；湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间，第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法，半导体基片具有平的表面。

公开(公告)号：CN1204866A

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN98114960.X

申请日：1998-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  崔志铉 ,  洪锡智

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31055

Abstract: 一种平面化半导体基片的方法,利用半导体基片上绝缘体腐蚀选择性的差别。该方法包括的步骤是:湿法腐蚀凸出区上部边缘的第二和第一绝缘层直到第一绝缘层的部分在上部边缘露出为止;在第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层;湿法腐蚀第三和第二绝缘层直到第一绝缘层的上部表面露出为止。湿法腐蚀期间,第二绝缘层的腐蚀要比第三绝缘层快。借助这种方法,半导体基片具有平的表面。

公开(公告)号：CN1108805A

公开(公告)日：1995-09-20

申请号：CN94115591.9

申请日：1994-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴仁善 ,  李明范 ,  洪昌基 ,  金昶圭 ,  郑佑仁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/402 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608

Abstract: 一种形成电介质的方法，其中采用了其沉积速率随下层电极性而改变的介电材料，并对导电层和下层电介质进行表面处理以得到不同的电极性，从而利用介电材料在导电层上和在下层电介质上沉积速率的不同来形成电介质。为实行此方法，提供了一种在其基座和气体注入部分之间连接有直流电源的CVD设备。此方法及设备可在低温下运行而且工艺得到了简化，从而获得极好的整平性和沉积特性。

公开(公告)号：CN1028817C

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。