公开(公告)号：CN1877810A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610074174.8

申请日：2006-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  朴知淳 ,  姜东祚 ,  金廷昱 ,  朴仁善 ,  李怰锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

Abstract: 一种多层半导体器件及其制造方法，包括第一有源半导体结构，第一有源半导体结构上的第一绝缘层，第一绝缘层上和第一有源半导体结构上的第二有源半导体结构，第二有源半导体结构上的第二绝缘层，以及包括第一欧姆接触和第二欧姆接触的接触结构，第一欧姆接触在第一有源半导体结构的上表面上具有一垂直厚度，第二欧姆接触在第二有源半导体结构的侧壁上具有一横向厚度，该垂直厚度大于横向厚度。