公开(公告)号：CN1503344A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李絃德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。