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公开(公告)号：CN107393928B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201710328970.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
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公开(公告)号：CN109801918A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811248928.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/336
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。
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公开(公告)号：CN107958869A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710804253.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/11524 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/1157 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L23/535 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/764
Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
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公开(公告)号：CN101271961B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810083078.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0623 , G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。
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公开(公告)号：CN102034928A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010505747.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种相变存储器器件，包括：下电极、电连接到所述下电极的相变材料图案以及电连接到所述相变材料图案的上电极。所述下电极可以包括：第一结构，所述第一结构包括金属半导体化合物；在所述第一结构上的第二结构，所述第二结构包括金属氮化物材料，并且包括具有比上部更大的宽度的下部；以及第三结构，所述第三结构包括含元素X的金属氮化物材料，所述第三结构位于所述第二结构上，所述元素X包括选自硅、硼、铝、氧和碳的组中的至少一个。
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公开(公告)号：CN106486461B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201610756035.7
申请日：2016-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN114171519A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110932691.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
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公开(公告)号：CN107958869B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201710804253.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/764 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
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公开(公告)号：CN109797379A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811267563.1
申请日：2018-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 一种用于在晶圆上沉积材料的沉积设备，该设备包括：下喷头；上喷头，设置在所述下喷头上方，所述上喷头面对所述下喷头；以及支撑结构，位于所述上喷头与所述下喷头之间，所述晶圆能够被所述支撑结构支撑，其中，所述上喷头包括用于向所述晶圆上提供上部气体的上孔，所述下喷头包括用于向所述晶圆上提供下部气体的下孔，所述支撑结构包括：环形体，围绕所述晶圆；多个环支撑轴，位于所述环形体与所述下喷头之间；以及多个晶圆支撑件，从环形体的下部区域向内延伸以支撑晶圆，并且多个晶圆支撑件彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN1239320A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98121394.4
申请日：1998-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/82
CPC classification number: H01L28/60 , C23C16/0281 , C23C16/04 , C23C16/14 , H01L21/76879 , H01L21/76888 , H01L21/76889
Abstract: 提供了一种选择性金属层的形成方法，及用其形成电容器的方法和用其填充接触孔洞的方法。通过通入一种对半导体衬底上的绝缘膜和导电层选择性沉积的牺牲金属源气体可在导电层上选择沉积牺牲金属层。通过通入一种其卤素亲和力比牺牲金属层中金属原子的卤素亲和力更小的金属卤化物气体，可形成牺牲金属原子和卤化物，并使牺牲金属层被沉积金属层如钛(Ti)或铂(pt)所取代。
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