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公开(公告)号：CN1674259B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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公开(公告)号：CN1674259A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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公开(公告)号：CN102154689B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010542800.8
申请日：2010-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/45563 , C30B23/02 , C30B25/14 , C30B29/40 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供了一种气相沉积系统、一种制造发光装置的方法和一种发光装置。根据本发明一方面的气相沉积系统可包括：第一室，具有第一基座和至少一个气体分配器，所述至少一个气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。当使用根据本发明一方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的晶体质量，由此提高发光装置的性能。此外，在提高气相沉积系统的操作能力和产率的同时，可以防止设备的劣化。
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公开(公告)号：CN103361635A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310100939.0
申请日：2013-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。
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公开(公告)号：CN1722379B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200510078339.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31122
Abstract: 在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1148799C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN99109548.0
申请日：1999-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L28/84 , Y10S438/964
Abstract: 本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法，该方法能够使电容量增加，稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG，并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。
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公开(公告)号：CN103748663A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201180072057.7
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备。根据本发明的MOCVD设备包括：反应腔室，其包括限定具有一定体积的内部空间的腔室主体和密闭地密封所述腔室主体以保持气密性的腔室盖；基座，其可旋转地设置在所述腔室主体内并且在上表面中具有用于容纳晶片的至少一个凹处；盖元件，其可拆卸地设置在所述腔室盖的内表面上，从而限定所述基座和所述盖元件之间的反应空间，并且所述盖元件由彼此耦接的多个分段元件形成；以及气体供应单元，其将反应气体提供至所述反应空间，使得所述反应气体在所述基座和所述盖元件之间流动。
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公开(公告)号：CN103650173A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072081.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。
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公开(公告)号：CN100524697C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510118196.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
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公开(公告)号：CN1235372A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN98125263.X
申请日：1998-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/76856 , H01L21/76843 , H01L21/76882
Abstract: 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层,其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面,形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层,填充接触孔。进行第二热处理,用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙,从而防止金属互连中电阻增加。
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