公开(公告)号：CN100454515C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。

公开(公告)号：CN1482655A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03119603.9

申请日：2003-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  全宗植

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76888 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53223 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成金属膜的方法，包括在衬底的表面、凹槽的底表面和侧壁上形成金属势垒层；在衬底上而不是在凹槽内形成第一金属膜；用氮等离子体处理第一金属膜以形成包括氮的绝缘膜；在位于凹槽中的金属势垒层的部分上形成第二金属膜；以及在衬底、凹槽和绝缘膜上形成第三金属膜。

公开(公告)号：CN1503344A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03107338.7

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟鸣 ,  朴仁善 ,  李絃德 ,  全宗植

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明公开了一种在一衬底的一接触孔或沟槽中选择性地形成铝引线。在一衬底的主表面和该接触孔或沟槽的内表面上形成一含氮的中间层。对该中间层的位于该衬底主表面上的一第一表面部分利用等离子体进行处理，以在该中间层的该第一表面部分形成一钝化层。然后，在没有插入的真空间歇的情况下，仅在该中间层的位于该接触孔或沟槽的内表面上的一第二表面部分化学汽相沉积一铝膜。对该中间层的该第一表面部分的所述利用等离子体的处理抑制了在该中间层的该第一表面部分上的铝膜的化学汽相沉积。