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公开(公告)号：CN109477212A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044761.9
申请日：2017-07-14
IPC: C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L21/768 , C23C16/30
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/30 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/50 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/76224
Abstract: 根据本发明，提供一种用于通过在反应室中提供基底并提供沉积方法来填充在所述基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法。所述沉积方法包含：提供各向异性等离子体以用离子轰击所述一个或多个间隙的表面的底部区域，由此在所述底部区域形成吸附位点；将第一反应物引入到所述基底上；及允许所述第一反应物与所述表面的所述底部区域处的所述吸附位点反应，以从所述底部区域向上填充所述一个或多个间隙。
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公开(公告)号：CN107142465B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201710360355.5
申请日：2017-05-21
Applicant: 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
Inventor： 宗坚
CPC classification number: B82Y40/00 , C23C16/0245 , C23C16/50
Abstract: 一种循环小功率连续放电制备多功能性纳米防护涂层的方法，属于等离子体技术领域，该方法中，将反应腔室内的抽真空度并通入惰性气体，使基材在反应腔室内产生运动，通入单体蒸汽到反应腔室内，进行化学气相沉积，沉积包括预处理阶段和镀膜阶段，预处理阶段等离子体放电方式为大功率连续放电，镀膜阶段等离子体放电方式为小功率连续放电，循环重复预处理阶段和镀膜阶段至少一次，在镀膜工艺过程中，循环引入使基材表面引入更多的活性位点，增加有效镀膜，膜结构更致密，获得多层复合结构的纳米涂层，为产品本身提供了多层防护，微观上表现为更为致密的涂层结构，从宏观上表现出优异的疏水性、附着力、耐酸碱、机械性能及耐湿热性能。
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公开(公告)号：CN107978770A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710059542.X
申请日：2017-01-24
IPC: H01M8/0228 , H01M8/021 , H01M8/0213
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/0227 , C23C16/0245 , C23C16/0263 , C23C16/50 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0228 , H01M8/0247 , H01M8/021
Abstract: 本发明涉及一种燃料电池隔板以及燃料电池隔板的涂覆方法，其中涂覆燃料电池隔板的方法，包括以下步骤：提供具有表面的金属基底；通过将碳扩散抑制离子渗透到金属基底的表面中，形成从金属基底的表面延伸到金属基底中的离子渗透层；以及在金属基底的表面上形成碳涂层。
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公开(公告)号：CN104968826B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480007860.6
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/02
CPC classification number: C23C16/0245 , C23C14/022 , C23C16/0227 , C23C16/44 , C23C16/4584 , C23C16/486 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J2237/3321 , H01J2237/335
Abstract: 本发明提供一种用于对基材的表面稳定地进行清洁的离子轰击装置（1）。该装置具备：真空腔（2）、被设置在其内壁面并且放出电子的至少一个电极（3）、接受来自所述电极（3）的电子的多个正极（4）即被配置为以隔着所述基材与所述电极相向的方式相向的多个正极、以及与各正极（4）对应的多个放电电源（5）。各放电电源（5）与所述真空腔（2）绝缘，对与该放电电源（5）对应的正极（4）供给能够彼此独立地设定的电流或电压，由此，在该正极（4）与所述电极（3）之间产生辉光放电。
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公开(公告)号：CN105695950A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610114275.7
申请日：2016-03-01
Applicant: 上海科弦精密工具有限公司
Inventor： 滕守斌
CPC classification number: C23C16/0245 , C23C16/0236 , C23C16/27 , C23G5/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石涂层刀具退涂的方法，将磨损后的金刚石涂层刀具用丙酮或酒精清洗干净；将清洗干净后的金刚石涂层刀具固定于等离子增强化学气相沉积设备的样品台中央，待等离子增强化学气相沉积设备抽真空加热后通入氧气和3GHz微波等离子束，使得刀具表面的金刚石涂层在等离子作用下燃烧成微颗粒，冷却后取出刀具；用丙酮清洗去除微粒，露出刀具基体，退涂过程完成，本发明方法简单方便，适合规模化生产，生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103732392B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280037017.3
申请日：2012-07-27
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: B32B9/00 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/403 , B05D3/007 , B05D3/107 , B05D3/141 , B05D3/145 , B05D3/148 , B32B7/04 , C08K3/01 , C08K3/013 , C09J201/02 , C09J201/025 , C09J201/06 , C09J201/08 , C09J2400/10 , C09J2400/22 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C28/00 , C23C28/042 , Y10T428/25 , Y10T428/251 , Y10T428/258 , Y10T428/259 , Y10T428/31562 , Y10T428/31721 , Y10T428/31757
Abstract: 本发明的层叠体（1），具有基材（2）、在基材（2）的外表面的至少一部分上形成的膜状或片状的底涂层（3、103）、以及在底涂层（3、103）的厚度方向的两个面中的与基材（2）接触的面的相反侧面上形成的原子层沉积膜（4），原子层沉积膜（4）的前驱体的至少一部分与底涂层（3、103）结合，原子层沉积膜（4）形成为覆盖底涂层（3、103）的膜状。
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公开(公告)号：CN104011837A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280048477.6
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·卢博米尔斯基 , S·耐马尼 , E·叶 , S·G·别洛斯托茨基
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/0245 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32532 , H01J37/32587 , H01J37/32715 , H01J2237/3341 , H01L21/02126 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/6831
Abstract: 本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。
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公开(公告)号：CN103732392A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037017.3
申请日：2012-07-27
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: B32B9/00 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/403 , B05D3/007 , B05D3/107 , B05D3/141 , B05D3/145 , B05D3/148 , B32B7/04 , C08K3/01 , C08K3/013 , C09J201/02 , C09J201/025 , C09J201/06 , C09J201/08 , C09J2400/10 , C09J2400/22 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C28/00 , C23C28/042 , Y10T428/25 , Y10T428/251 , Y10T428/258 , Y10T428/259 , Y10T428/31562 , Y10T428/31721 , Y10T428/31757
Abstract: 本发明的层叠体（1），具有基材（2）、在基材（2）的外表面的至少一部分上形成的膜状或片状的底涂层（3、103）、以及在底涂层（3、103）的厚度方向的两个面中的与基材（2）接触的面的相反侧面上形成的原子层沉积膜（4），原子层沉积膜（4）的前驱体的至少一部分与底涂层（3、103）结合，原子层沉积膜（4）形成为覆盖底涂层（3、103）的膜状。
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公开(公告)号：CN103329250A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180065760.5
申请日：2011-12-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/28556
Abstract: 描述形成多晶硅层的方法。所述方法包括在含有沉积基板的基板处理区域中从硅前驱物形成高密度等离子体。所描述的方法在相对于现有技术降低的基板温度（例如，＜500℃）下产生多结晶膜。偏压等离子体功率调整的可行性更使得所形成的多晶硅层的共形性的调整成为可能。当掺杂剂被包括在高密度等离子体中时，掺杂剂能够以掺杂剂不需要单独的激发步骤的方式被并入到多晶硅层内。
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公开(公告)号：CN101438391B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200780016253.6
申请日：2007-05-02
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/0209 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4405 , C23C16/45504 , C23C16/45508 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/509
Abstract: 本发明大体来说提供一种沉积材料的方法，并且更明确地说，本发明的实施例有关于使用光激发技术来沉积阻障层、种层、导电材料以及介电材料的化学气相沉积制程以及原子层沉积制程。本发明的实施例大体来说提供辅助制程方法及设备，其中可执行该辅助制程以提供均匀沉积的材料。
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