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公开(公告)号：CN100335971C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02152489.0
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/027 , C08F222/06
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
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公开(公告)号：CN1181520A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97122568.0
申请日：1997-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/039
Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有右通式(Ⅱ),其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述;同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物,它含有一光敏酸发生剂和一具有上通式(Ⅲ)的聚合物,其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。
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公开(公告)号：CN101398624A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165695.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/028 , G03F7/004 , C07C321/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/65 , C07C381/12 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1－C10烷基，X为与S+形成环的C3－C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5－S+A－中的至少一种代替，其中R5为C1－C10烷基，且A－为平衡离子。
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公开(公告)号：CN101572226B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910134899.5
申请日：2009-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/027 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/0338 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。
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公开(公告)号：CN101086961A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710104108.5
申请日：2007-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1125836C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN98125176.5
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/06 , G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(I)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃，n为整数。特别地，R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃，如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(II)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。
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公开(公告)号：CN118689047A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410314636.7
申请日：2024-03-19
Abstract: 提供稀释剂组合物和通过使用所述稀释剂组合物处理基板表面的方法，所述稀释剂组合物可普遍用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂以及KrF和ArF光致抗蚀剂并且在减胶涂覆(RRC)和边缘珠状物除去(EBR)方面呈现出改善的性能并且具有优异的管道清洁能力。所述稀释剂组合物包括C2‑C4亚烷基二醇C1‑C4烷基醚乙酸酯、C2‑C3亚烷基二醇C1‑C4烷基醚、和环酮。
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公开(公告)号：CN1790161A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510125198.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027 , C08F38/00
Abstract: 本发明提供包括具有sp3碳主架的聚合物的聚合薄膜，sp3碳主架包括四面体中心原子。还提供了形成该聚合薄膜的方法、包括该聚合薄膜的硬掩膜以及使用该聚合薄膜形成精细图形的方法。
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公开(公告)号：CN1141619C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN97122568.0
申请日：1997-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/039
Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有下述通式(II)，其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物，它含有一光敏酸发生剂和一具有下述通式(III)的聚合物，其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。
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公开(公告)号：CN1224728A
公开(公告)日：1999-08-04
申请号：CN98125176.5
申请日：1998-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/06 , G03F7/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F222/06 , G03F7/039
Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(Ⅰ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃,n为整数。特别地,R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃,如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(Ⅱ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃;R2选自氢或甲基;R3选自叔丁基或四氢吡喃基;n和m各自为整数,其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性,对膜材料具有优良的粘合性,可利用常规显影剂显影。
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