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公开(公告)号:CN1971424A
公开(公告)日:2007-05-30
申请号:CN200610110078.4
申请日:2006-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/32139
Abstract: 该半导体结构包括将被构图的刻蚀目标层、多个底部抗反射涂层(BARC)层以及光刻胶(PR)图形。多重BARC层包括形成在刻蚀目标层上并包含碳的第一掩模层,以及形成在第一掩模层上并包含硅的第二掩模层。形成在多重BARC层上的PR层经历光刻,以在多重BARC层上形成PR图形。多重BARC层具有2%以下的反射率,以及PR图形和多重BARC层之间的界面角度是80°至90°。
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公开(公告)号:CN101393203A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810149226.2
申请日:2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N33/50
CPC classification number: G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4146 , H01L51/0595 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 实例性实施方式涉及用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法。根据实例性实施方式的生物传感器包括多个绝缘膜。第一信号线和第二信号线可插入到多个绝缘膜之间。半导体纳米结构可设置在多个绝缘膜上,半导体纳米结构具有电连接到第一信号线的第一侧和电连接到第二信号线的第二侧。多个探针可耦合到半导体纳米结构。根据实例性实施方式的生物传感器可具有减少的分析时间。
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公开(公告)号:CN101298464A
公开(公告)日:2008-11-05
申请号:CN200810009721.3
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07H19/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C07D215/14 , C07F9/2408 , C07F9/60 , C07F9/65515 , C07H21/00 , C40B50/14 , Y02P20/55 , Y10T436/143333
Abstract: 公开了一种对光不稳化合物、低聚物探针阵列、和包括对光不稳化合物的用于低聚物探针阵列的基片、及其制造方法。
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公开(公告)号:CN101298464B
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200810009721.3
申请日:2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07H19/00 , B01J19/0046 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C07D215/14 , C07F9/2408 , C07F9/60 , C07F9/65515 , C07H21/00 , C40B50/14 , Y02P20/55 , Y10T436/143333
Abstract: 公开了一种对光不稳化合物、低聚物探针阵列、和包括对光不稳化合物的用于低聚物探针阵列的基片、及其制造方法。
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公开(公告)号:CN1790161A
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN200510125198.7
申请日:2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027 , C08F38/00
Abstract: 本发明提供包括具有sp3碳主架的聚合物的聚合薄膜,sp3碳主架包括四面体中心原子。还提供了形成该聚合薄膜的方法、包括该聚合薄膜的硬掩膜以及使用该聚合薄膜形成精细图形的方法。
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