公开(公告)号：CN101572226B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910134899.5

申请日：2009-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  李昔柱 ,  李重泫 ,  李时镛

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

公开(公告)号：CN100394584C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200310120429.6

申请日：2003-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌敏 ,  李重泫 ,  赵汉九 ,  朴俊洙

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。

公开(公告)号：CN1507034A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120429.6

申请日：2003-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌敏 ,  李重泫 ,  赵汉九 ,  朴俊洙

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。

公开(公告)号：CN1083938A

公开(公告)日：1994-03-16

申请号：CN93117375.2

申请日：1993-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴春根 ,  李重泫 ,  韩宇声

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/0233 ,  G03F7/0045

Abstract: 本发明涉及含有结构A的酚醛清漆基树脂和结构B的聚乙烯基酚基树脂的光抗蚀剂组合物，和使用该光抗蚀剂组合物产生图形的方法，由此获得具有很好轮廓和尺寸为0.25μm的图形和满意地保持图形尺寸间的线性。

公开(公告)号：CN101572226A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910134899.5

申请日：2009-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  李昔柱 ,  李重泫 ,  李时镛

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/027 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法。本发明提供了根据采用酸扩散的双图案化工艺形成半导体器件的精细图案的方法。在此方法中，多个第一掩模图案形成在衬底上以便彼此分隔。包括酸源的盖膜形成在多个第一掩模图案的每个的侧壁和上表面上。第二掩模层形成在盖膜上。通过将从盖膜的酸源获得的酸扩散到第二掩模层中，多个酸扩散区域形成在第二掩模层内。多个第二掩模图案由第二掩模层的残余部分形成，该第二掩模层的残余部分在去除第二掩模层的酸扩散区域之后保留在第一间隔中。

公开(公告)号：CN1801476A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510126956.7

申请日：2005-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈愚锡 ,  林泳旭 ,  李重泫 ,  尹广燮 ,  金喆浩 ,  朴兑津

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

Abstract: 在制造电容器和半导体器件的方法中，在具有接触插塞的衬底上形成模制层。该模制层包括露出接触插塞的开口。在接触插塞、开口的内侧壁以及模制层上形成导电层。形成光致抗蚀剂图形，以基本填充该开口。通过部分去除导电层，形成圆柱形下电极。选择性地去除模制层，同时光致抗蚀剂图形防止破坏下电极、接触插塞和衬底。去除光致抗蚀剂图形，然后，在下电极上形成介质层和上电极。因为存在光致抗蚀剂图形，所以在选择性地去除模制层期间，可以有效防止破坏下电极和接触插塞。

公开(公告)号：CN1146071A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96103946.9

申请日：1996-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重泫 ,  文诚庸 ,  韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/28 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433

Abstract: 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。