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公开(公告)号：CN101206216B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200710159943.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00387 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00659 , B01J2219/00662 , B01J2219/00693 , B01J2219/00702 , B01J2219/00722 , C12Q1/6837 , Y10T428/24612 , C12Q2565/513
Abstract: 示例实施方式可以包括基于易于分析的布局的低聚物探针阵列芯片。示例低聚物探针阵列芯片可以包括基底、位于基底上具有多个以行或面板的形式的子阵列的主阵列、和/或位于每个子阵列行外部的多个子阵列排列点阵列。子阵列可以包括多个以矩阵排列的点，其中具有不同序列的低聚物探针可以连接于该点。示例实施方式还提供用于制造低聚物探针阵列芯片的掩模以及低聚物探针阵列芯片的杂交分析方法。
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公开(公告)号：CN1752844A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106920.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/31144
Abstract: 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机－无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机－无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。
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公开(公告)号：CN1734352B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510087449.7
申请日：2005-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , B82Y30/00 , G03F7/0752 , G03F7/165 , H01L21/0274
Abstract: 提供一种包括含硅的自安装分子层的掩模图形，形成该掩模图形的方法以及制造半导体器件的方法。掩模图形包括在半导体衬底上形成的抗蚀剂图形和在抗蚀剂图形上形成的自安装分子层。自安装分子层具有通过溶胶-凝胶反应形成的硅石网状。为了形成掩模图形，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开口的抗蚀剂图形，以露出底层至第一宽度。然后，仅仅在抗蚀剂图形的表面上有选择地形成自安装分子层，以露出底层至第二宽度，第二宽度小于第一宽度。通过使用抗蚀剂图形和自安装的分子层作为刻蚀掩模刻蚀底层，获得精细图形。
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公开(公告)号：CN101206216A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159943.9
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00387 , B01J2219/00527 , B01J2219/00576 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00659 , B01J2219/00662 , B01J2219/00693 , B01J2219/00702 , B01J2219/00722 , C12Q1/6837 , Y10T428/24612 , C12Q2565/513
Abstract: 示例实施方式可以包括基于易于分析的布局的低聚物探针阵列芯片。示例低聚物探针阵列芯片可以包括基底、位于基底上具有多个以行或面板的形式的子阵列的主阵列、和/或位于每个子阵列行外部的多个子阵列排列点阵列。子阵列可以包括多个以矩阵排列的点，其中具有不同序列的低聚物探针可以连接于该点。示例实施方式还提供用于制造低聚物探针阵列芯片的掩模以及低聚物探针阵列芯片的杂交分析方法。
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公开(公告)号：CN101206215A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159942.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01L3/508 , B01J2219/00659 , B01J2219/00702 , B01L2300/041 , B01L2300/0636 , B01L2300/0822
Abstract: 本发明提供一种生物芯片套件，包括：第一壳体；放置在第一壳体中并且构造成包括多个分子探针的生物芯片；以及与第一壳体结合并且构造成与第一壳体形成反应空间并且覆盖该生物芯片的第二壳体，其中第二壳体和第一壳体在构造上可移动地结合，从而可以暴露生物芯片的上表面。还提供一种使用该生物芯片套件来测试生物样品的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1752846A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106911.3
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/023 , G03F7/0382 , G03F7/0392
Abstract: 掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101294216B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810009726.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00497 , B01J2219/00527 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00659 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B82Y30/00 , C40B40/06 , C40B40/10 , C40B50/18 , C40B80/00 , Y10T428/31504
Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、低聚物探针阵列及其制造方法。该衬底结构可以包括衬底和衬底上的包括由下面的结构式1表示的化学结构的中间膜。 (其中R1是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基，R2是烷基、芳香基、烷氧基、腈、酯、苯基、羟基、脂肪族内脂、环烷基或环烯基，和X直接或经由固定层而与衬底耦合)。
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公开(公告)号：CN101067605B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100990.6
申请日：2007-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00317 , B01J2219/00529 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00608 , B01J2219/00612 , B01J2219/00617 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B01J2219/00659 , B01J2219/00722
Abstract: 一种具有提高的信噪比的低聚物探针阵列，包括衬底，在衬底上或在衬底中形成的多个探针单元有源区，该多个探针单元有源区的每一个具有基本上平坦的表面并以自己的序列与至少一个低聚物探针耦合，以及限定探针单元有源区并且没有用于与表面上的低聚物探针耦合的官能团的探针单元隔离区。
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公开(公告)号：CN101221121B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710307759.4
申请日：2007-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B01J19/0046 , B01J2219/00382 , B01J2219/00432 , B01J2219/00527 , B01J2219/00585 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/00659 , B01J2219/00711 , B01J2219/00722 , B82Y30/00 , C40B50/18
Abstract: 一种制造微阵列的方法，包括提供基板，该基板具有采用酸不稳定保护基团保护的官能团固定且能够与低聚物探针偶联的表面；将光酸产生剂提供到基板上；在基板上设置包括凸起区和围绕凸起区的多个凹面区的印记模板，以使得该凸起区接触或邻接基板的上表面以由基板的上表面和印记模板的凸起区和凹面区限定多个反应区；将一个或多个反应区暴露到光以使得在一个或多个暴露的反应区中由光酸产生剂产生酸并且由酸除去对所述一个或多个暴露的反应区中的官能团的保护；以及将低聚物探针提供到基板上以使得低聚物探针与已除去保护的官能团偶联。
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公开(公告)号：CN1971424A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610110078.4
申请日：2006-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/32139
Abstract: 该半导体结构包括将被构图的刻蚀目标层、多个底部抗反射涂层(BARC)层以及光刻胶(PR)图形。多重BARC层包括形成在刻蚀目标层上并包含碳的第一掩模层，以及形成在第一掩模层上并包含硅的第二掩模层。形成在多重BARC层上的PR层经历光刻，以在多重BARC层上形成PR图形。多重BARC层具有2％以下的反射率，以及PR图形和多重BARC层之间的界面角度是80°至90°。
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