-
公开(公告)号：CN110117445A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910101169.9
申请日：2019-01-31
IPC: C09D133/10 , C09D133/14 , H01L27/146
Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。
-
公开(公告)号：CN110117445B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910101169.9
申请日：2019-01-31
IPC: C09D133/10 , C09D133/14 , H01L27/146
Abstract: 一种保护膜组合物包含具有以下式的聚合物：a、b及c中的每一者为摩尔分数；a+b+c＝1；0.05≤a/(a+b+c)≤0.3；0.1≤b/(a+b+c)≤0.6；0.1≤c/(a+b+c)≤0.6；R1、R2及R3中的每一者为氢原子或甲基；R4为氢原子、丁内酯基或者经取代或未经取代的C3到C30脂环族烃基；且R5为经取代或未经取代的C6到C30线状或环状烃基。一种制造半导体封装的方法包括：使用保护膜组合物在半导体结构上形成锯切保护膜；以及从锯切保护膜对锯切保护膜及半导体结构进行锯切。
-
公开(公告)号：CN118689047A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410314636.7
申请日：2024-03-19
Abstract: 提供稀释剂组合物和通过使用所述稀释剂组合物处理基板表面的方法，所述稀释剂组合物可普遍用于极紫外(EUV)光致抗蚀剂以及KrF和ArF光致抗蚀剂并且在减胶涂覆(RRC)和边缘珠状物除去(EBR)方面呈现出改善的性能并且具有优异的管道清洁能力。所述稀释剂组合物包括C2‑C4亚烷基二醇C1‑C4烷基醚乙酸酯、C2‑C3亚烷基二醇C1‑C4烷基醚、和环酮。
-
公开(公告)号：CN112399999B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201980044957.7
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。
-
公开(公告)号：CN110536940A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026333.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102449099B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080024213.8
申请日：2010-05-27
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种包含未离子化热活性纳米催化剂的、对金属层的化学机械平坦化工序有用的研磨浆料组合物以及利用其的研磨方法。所述化学机械研磨浆料组合物包含通过化学机械研磨工序中所产生的能量而释放电子与空穴的未离子化热活性纳米催化剂、研磨剂、以及氧化剂。所述未离子化热活性纳米催化剂与研磨剂彼此不相同，所述未离子化热活性纳米催化剂优选为在水溶液状态下在10-100℃的温度释放电子与空穴的半导体物质，特别优选使用从CrSi、MnSi、CoSi、硅铁(FeSi)以及其混合物所组成的群组中选择的过渡金属硅化物(transition？metal？silicide)，更优选使用纳米硅铁(nano？ferrosilicon)此类的半导体物质。此未离子化热活性纳米催化剂的含量相对于全部浆料组合物为0.00001-0.1wt％。
-
公开(公告)号：CN1885161B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610092645.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明公开了包含以下通式所示的单体的聚合物以及包含该聚合物的光刻胶组合物。由于所述包含饱和环烃基的醇酯基团脱保护反应的活化能较低，因此该聚合物和光刻胶组合物可以改进分辨率和工艺裕度，并且由于其具有稳定的PEB(曝光后烘焙)温度敏感性，因此可产生精细的光刻胶图案，并改进光刻胶层的聚焦深度裕度和线条边缘粗糙度。在上述通式中，R*为氢或甲基，R1为具有1至5个碳原子的饱和烃基，R为具有3至50个碳原子的饱和单环或多环烃基或饱和杂单环或杂多环烃基，以及n为至少等于2的整数。
-
-
公开(公告)号：CN112399999A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980044957.7
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。
-
公开(公告)号：CN103906740B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280053193.6
申请日：2012-11-01
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C07D311/86 , C07D495/10 , C08G61/12 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/094 , C07D311/86 , C07D491/107 , C07D495/10 , C08G8/20 , C08G61/122 , C08G2261/344 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/11
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体加工光刻过程的酚类单体，一种含有所述酚类单体的用于制备抗蚀剂下层的聚合物，以及一种包含所述聚合物的抗蚀剂下层组合物。所述酚类单体由说明书中结构式1表示，在结构式1中，R1、R2、R3和R4分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；X是氧原子(O)或硫原子(S)；Y是单键、亚甲基(CH2?)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(?NH?)或两个单独的氢原子，其中，A、R1、R2、R3和R4都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R1和R2，要么R3和R4彼此独立连接，形成环状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
166
records
(took 0.041 seconds)
