公开(公告)号：CN1181520A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97122568.0

申请日：1997-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  崔相俊 ,  郑东垣 ,  朴春根 ,  高永范

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有右通式(Ⅱ),其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述;同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物,它含有一光敏酸发生剂和一具有上通式(Ⅲ)的聚合物,其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1125836C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN98125176.5

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东垣 ,  朴春根

IPC: C08F222/06 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(I)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃，n为整数。特别地，R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃，如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(II)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。

公开(公告)号：CN1141619C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN97122568.0

申请日：1997-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  崔相俊 ,  郑东垣 ,  朴春根 ,  高永范

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有下述通式(II)，其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物，它含有一光敏酸发生剂和一具有下述通式(III)的聚合物，其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1224728A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN98125176.5

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东垣 ,  朴春根

IPC: C08F222/06 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(Ⅰ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃,n为整数。特别地,R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃,如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(Ⅱ):其中R1选自氢和C1至C20脂烃;R2选自氢或甲基;R3选自叔丁基或四氢吡喃基;n和m各自为整数,其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性,对膜材料具有优良的粘合性,可利用常规显影剂显影。