公开(公告)号：CN101398624A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810165695.3

申请日：2008-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  金学元 ,  金然柱 ,  崔成云 ,  金贤友 ,  罗惠燮 ,  金京泽

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/004 ,  C07C321/12 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1－C10烷基，X为与S+形成环的C3－C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5－S+A－中的至少一种代替，其中R5为C1－C10烷基，且A－为平衡离子。

公开(公告)号：CN106909032B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201610997545.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珠英 ,  朴贞珠 ,  朴珍 ,  罗惠燮

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  C11D11/00 ,  C11D1/66 ,  H01L21/311

Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。

公开(公告)号：CN106909032A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201610997545.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珠英 ,  朴贞珠 ,  朴珍 ,  罗惠燮

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  C11D11/00 ,  C11D1/66 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C11D1/00 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  G03F7/422 ,  C11D1/66 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/31133

Abstract: 公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。

公开(公告)号：CN101398624B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200810165695.3

申请日：2008-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  金学元 ,  金然柱 ,  崔成云 ,  金贤友 ,  罗惠燮 ,  金京泽

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/004 ,  C07C321/12 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C309/65 ,  C07C381/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D339/08 ,  G03F7/0392

Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1-C10烷基，X为与S+形成环的C3-C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5-S+A-中的至少一种代替，其中R5为C1-C10烷基，且A-为平衡离子。(式1)，(式2)。