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公开(公告)号：CN101621083B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101135840A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610142919.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。
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公开(公告)号：CN101593780B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910139390.X
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/0256 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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公开(公告)号：CN101086961B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710104108.5
申请日：2007-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。
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公开(公告)号：CN101740580A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910224510.6
申请日：2009-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0203 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11565 , H01L27/11573
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及半导体器件的布图方法。所提供的半导体器件包括：多个位线图案；多个焊盘图案，分别连接到多个位线图案；以及至少一个接触，形成在多个焊盘图案的每一个上，其中多个焊盘图案的节距大于多个位线图案的节距。位线图案可以采用双图案化技术(DPT)形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101135840B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610142919.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。
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公开(公告)号：CN1758138B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510113435.8
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/00
Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。
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公开(公告)号：CN100592730C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200410038775.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L29/02
Abstract: 适于高性能无线LAN的数据传输的装置和方法，该装置利用串行通信接口设备执行主从设备之间的数据传输，包括：数据输入单元，用于接收将从主设备发送到从设备的传输速率数据和传输长度数据中的至少一个。选择单元接收传输速率数据和传输长度数据中的至少一个，及接收相应的第一和第二事件信号中的至少一个，以选择地分别发送传输速率数据和传输长度数据中的至少一个到从设备。控制器接收传输速率数据和传输长度数据中的至少一个，并控制发送传输速率数据和传输长度数据中的至少一个到从设备的串行通信接口。控制单元自动控制传输速率数据和传输长度数据中的至少一个的传输的临界定时，以响应相应的第一和第二事件信号中的至少一个的激活。
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公开(公告)号：CN101587914A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910141107.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/06 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/02 , H01L31/0201 , H01L31/0508 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及使用该太阳能电池的太阳能电池模块。所提供的太阳能电池模块具有改善的能量效率。该太阳能电池模块包括框架、布置在框架处的第一太阳能电池以及比第一太阳能电池小的第二太阳能电池。第二太阳能电池设置在被第一太阳能电池包围的区域中。第一太阳能电池具有基本圆形的形状。第二太阳能电池具有矩形的形状，每个第二太阳能电池被四个第一太阳能电池包围。
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公开(公告)号：CN101621083A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910139382.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种具有前表面电极的半导体太阳能电池及其形成方法。太阳能电池包括基板，该基板具有在其上的光收集表面以及在该基板内的P-N整流结。P-N整流结包括第一导电型(例如p型)的基区和第二导电型的半导体层，该半导体层在基区和光收集表面之间延伸。还设置延伸通过半导体层并进入基区中的沟槽。第一电极和第二电极邻近光收集表面设置。第一电极电耦接到半导体层，第二电极在邻近沟槽的底部的位置处电耦接到基区。
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