公开(公告)号：CN112433137A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202011248622.8

申请日：2020-11-10

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  张晨 ,  曹馨悦 ,  刘丽娜 ,  杨亚贤

IPC: G01R31/25

Abstract: 本发明公开的硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法，包括将硅光电倍增管放在电磁屏蔽盒内，装在纳米位移台上；皮秒脉冲激光驱动器使激光头照射皮秒激光束，通过显微镜中针孔透光片使皮秒激光束在硅光电倍增管的表面聚焦成光斑；通过稳压电源向硅光电倍增管供电，输出的雪崩脉冲信号先经过高速低噪声放大器进行信号放大，再输入数字示波器来观察雪崩脉冲波形；控制纳米位移台移动，每个位置通过不同光子等效阈值下的总脉冲计数率和本底计数率计算一组PDE和Pct，最终通过多组PDE和Pct数据绘制空间二维分布图。本发明无需低温制冷，室温下即可获得硅光电倍增管的相对光探测效率和光学串话概率空间二维分布信息。

公开(公告)号：CN114046731A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111279574.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  杨亚贤 ,  曹馨悦 ,  张晨 ,  刘丽娜

IPC: G01B11/00 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明公开的基于硅光电倍增管的亚微米单光子量级微小光斑测量方法，利用硅光电倍增管作为单光子响应探测器，结合精密位移台，通过二维或一维空间扫描和反卷积运算，得到了经过显微镜物镜聚焦的单光子量级脉冲激光光斑的尺寸与光强的空间分布。

公开(公告)号：CN114046731B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111279574.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安工程大学

Inventor： 张国青 ,  杨亚贤 ,  曹馨悦 ,  张晨 ,  刘丽娜

IPC: G01B11/00 ,  G01J1/44

Abstract: 本发明公开的基于硅光电倍增管的亚微米单光子量级微小光斑测量方法，利用硅光电倍增管作为单光子响应探测器，结合精密位移台，通过二维或一维空间扫描和反卷积运算，得到了经过显微镜物镜聚焦的单光子量级脉冲激光光斑的尺寸与光强的空间分布。