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公开(公告)号：CN101432865A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015283.5
申请日：2007-03-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种选择等离子体掺杂过程参数的方法，其包含确定一制法参数数据库以实现至少一个等离子体掺杂条件。根据所述制法参数数据库来确定初始制法参数。执行至少一个等离子体掺杂条件的原位测量。使所述至少一个等离子体掺杂条件的原位测量与至少一个等离子体掺杂结果相关。响应于所述相关而改变至少一个制法参数，以便改进至少一个等离子体掺杂过程性能量度。
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