公开(公告)号：CN114220854B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202111564339.0

申请日：2021-12-20

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  林苡任 ,  谢梓翔

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D62/10

Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。

公开(公告)号：CN113394114B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202010164755.0

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  肖婷 ,  曹俊 ,  马颖江

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H10D80/30

Abstract: 本申请涉及智能功率模块技术领域，公开了一种芯片的封装方法、一种芯片及电子器件，封装方法包括：提供已切割的晶圆以制备功率半导体芯片，功率半导体芯片包括栅极、第一发射极和第二发射极；在栅极和第一发射极表面贴附高温胶膜；将功率半导体芯片安装于电子封装基板上；将电子封装基板与导线框架进行组装，实现各部件之间的电连接；在导线框架上安装驱动控制芯片，并实现电连接；去除高温胶膜；实现驱动控制芯片的驱动电极与栅极的连接、以及第一发射极与导线框架的连接；进行塑封、后固化、去胶、电镀以及切筋。本申请公开的封装方法，够防止导线框架与芯片结合过程中产生的污染栅极问题，增强了栅极焊线的可靠性。

公开(公告)号：CN113140456B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010060417.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  江伟 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L29/739

Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。

公开(公告)号：CN112289754B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201910668258.1

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 薛勇 ,  史波 ,  敖利波 ,  曾丹

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种功率模块及封装方法，包括引线框架、封装基板及承载板，所述引线框架固定于所述承载板上，所述封装基板与所述引线框架的引脚之间通过相互配合的凹凸结构连接，且所述封装基板与引线框架在凹凸配合处焊接固定，所述凹凸结构包括相互配合的柱销和通孔，所述引线框架设置所述柱销，所述封装基板设置与所述柱销配合的通孔，所述引脚对应所述封装基板通孔弯折形成所述柱销，其能够解决封装基板与引线框架之间在高温和振动环境下引脚脱焊现象。

公开(公告)号：CN112582386B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910925754.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  童圣双 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。

公开(公告)号：CN114334645A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202011037492.3

申请日：2020-09-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/261

Abstract: 本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。

公开(公告)号：CN114122150A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010864533.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/328

Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。

公开(公告)号：CN112289859B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910668737.3

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。

公开(公告)号：CN111834336B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910321865.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  陈兆同 ,  陈道坤

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。

公开(公告)号：CN113948375A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202010684352.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 涉及半导体基材粒子掺杂技术领域，本申请公开一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用。所述一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。与现有技术相比，本申请降低了整个掺杂工艺条件及成本，有效提高有源区杂质激活率。