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公开(公告)号：CN111180405B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201811340375.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种元胞结构及其制备方法、功率半导体器件及电子设备，该元胞结构基材，设置在所述基材上的多个单排排列的沟槽，其中，至少部分所述沟槽内设置有横向加强侧壁；且所述沟槽的侧壁上设置有用于将被所述横向加强侧壁封堵的沟槽与其他沟槽导电连通的缺口。通过在形成的沟槽中部分增加横向加强侧壁来增强整个元胞结构的整体强度，并且通过设置的缺口使得沟槽导电连通，从而可以在开设比较密集的沟槽，提高功率半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN113140612B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010055038.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。
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公开(公告)号：CN113644114B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110845637.0
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述第一阳极区为P+阳极区，所述第二阳极区为N+阳极区。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。
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公开(公告)号：CN113284871B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202010102198.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及DBC基板封装技术领域，提出了一种DBC基板框架结构，包括基板，所述基板上方设置有相互正对的第一侧框架与第二侧框架，第一侧框架连接固定在所述基板上，基板倾斜设置且倾斜方向为沿所述第二侧框架到所述第一侧框架方向斜向上，用于补偿封装过程中所述第一侧框架挤压导致所述基板翘起；还提出了一种DBC基板框架结构的成型治具，包括基座和设置在所述基座上的成型腔，成型腔用于制造上述的DBC基板框架结构；还提出了一种DBC基板框架结构的成型方法，其采用了上述成型治具。本发明具有封装成功率高、封装成本低和加工效率高的优点。
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公开(公告)号：CN113113315B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010031012.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本发明涉及功率模块的领域，公开一种防止智能功率模块溢胶的方法，包括：提供一正面和背面均形成有金属层的DBC基板；将引线框架与DBC基板正面的金属层连接，且在DBC基板背面的金属层一侧形成保护膜；将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块；由于在DBC基板的背面金属层形成有保护膜，使得在将形成有保护膜的DBC基板与所述引线框架注塑成型以形成模块时，对DBC基板的背面金属层进行保护，使得在注塑成型形成模块的过程中，不会有注塑成型中胶体物质与DBC基板的背面金属层接触，从而保证了DBC基板的背面金属层的正常工作，提高了功率模块的散热性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692327A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110844155.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请涉及模块封装结构技术领域，本申请公开一种模块封装结构、电路板总成及模块封装方法，该模块封装结构包括模块；加固件，所述加固件安装在所述模块上；以及，塑封层，塑封形成于所述模块以及所述加固件。与现有技术相比，塑封时，加固件上也会形成塑封层，加固件的设置增强了塑封层的强度，使得模块以及塑封其的塑封层不易翘曲甚至变形，在后期安装时，模块以及塑封其的塑封层也就不易断裂，从而增强了模块的抗断裂能力以及抗翘曲能力。
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公开(公告)号：CN113053750B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN114388606A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120756.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN114256066A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011005223.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN113497158A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010266554.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。
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