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公开(公告)号：CN113363330B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202010151123.0
申请日：2020-03-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。
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公开(公告)号：CN113497158B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010266554.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN111504477A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010374872.X
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明公开了一种红外温度传感器及其制造方法、温度检测设备，红外温度传感器包括：衬底、位于所述衬底一侧上的红外温度传感单元，其用于采集被测对象的温度信号；位于所述衬底的背离所述红外温度传感单元的另一侧上的信号处理单元，其与所述红外温度传感单元信号连接，用于对所述温度信号进行处理，以得到所述被测对象的温度信息。本发明实现了自身采集温度信号，并对温度信号进行计算、校正和转换等处理后得到温度信息，避免了后期应用时需适配专用的外部信号处理器，提高了红外温度传感器的实用性，同时减小了后期应用红外温度传感器多的温度检测设备的体积。
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公开(公告)号：CN113437033B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110718033.X
申请日：2021-06-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装结构、其制备方法及电子器件，该封装结构包括至少一个球栅阵列组件，所述球栅阵列组件处具有石墨烯导热层，所述球栅阵列组件中的焊球嵌于所述石墨烯导热层中。基于本发明的技术方案，由多层二维石墨烯薄膜堆叠而成的石墨烯导热层，不仅可以有效提高封装结构的散热效率，而且其多层堆叠结构可以在高机械应力的界面起到缓冲作用，能够避免界面处应力过大导致封装结构的组件产生翘曲和破裂。
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公开(公告)号：CN114566546A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011357357.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220781A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111582705.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN114122152A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010904608.2
申请日：2020-09-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种制备肖特基结构二极管的方法、装置和二极管，用于在不增加肖特基结构二极管体积的前提下，降低肖特基结构二极管的正向导通损耗，减少肖特基势垒分布不均匀的情况。该方法包括：在碳化硅衬底的外延层上生长电子扩展层，其中，所述电子扩展层的电阻率小于所述外延层的电阻率；在所述电子扩展层上划分有源区和非有源区，分别针对所述有源区和所述非有源区进行离子注入；生成肖特基结构二极管。
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公开(公告)号：CN113437033A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110718033.X
申请日：2021-06-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种封装结构、其制备方法及电子器件，该封装结构包括至少一个球栅阵列组件，所述球栅阵列组件处具有石墨烯导热层，所述球栅阵列组件中的焊球嵌于所述石墨烯导热层中。基于本发明的技术方案，由多层二维石墨烯薄膜堆叠而成的石墨烯导热层，不仅可以有效提高封装结构的散热效率，而且其多层堆叠结构可以在高机械应力的界面起到缓冲作用，能够避免界面处应力过大导致封装结构的组件产生翘曲和破裂。
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公开(公告)号：CN113066720A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110296226.0
申请日：2021-03-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体领域，公开一种碳化硅衬底退火工艺及碳化硅衬底退火设备，一种碳化硅衬底退火工艺，具体包括：将双层掩蔽层放置于需退火的碳化硅衬底一侧，以遮蔽碳化硅衬底表面，且双层掩蔽层与碳化硅衬底之间的距离D满足：0μm＜D≤300μm；对碳化硅衬底进行退火处理。碳化硅衬底和双层掩蔽层之间的间距可以调整，进而达到改善碳化硅衬底表面粗糙度的目的。因此，碳化硅衬底退火结束后无需复杂的掩蔽层去除工艺，只需直接将双层掩蔽层拿走即可，从而在保证相同效果的情况下优化工艺来实现工艺成本的降低。
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公开(公告)号：CN111326590A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010101995.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述半导体装置包括：衬底；在所述衬底上的第一半导体层；在所述第一半导体层中的掺杂区，所述掺杂区和所述第一半导体层具有不同的导电类型；在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层的材料的禁带宽度大于所述第一半导体层的材料的禁带宽度；和在所述第二半导体层上且与所述第二半导体层之间形成肖特基接触的第一金属层。
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