公开(公告)号：CN119725303A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411883903.9

申请日：2024-12-19

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘磊仁 ,  吴昊霖 ,  廖勇波 ,  李春艳

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请公开了一种陶瓷基板及其制备方法、芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其中，通过在芯片的贴装区域之间设置凹槽，并在凹槽的底部沿凹槽延伸设置阻流条，能够利用凹槽及阻流条有效增加上导电层之间的爬电距离，降低了芯片模块在出现溢锡现象时的击穿风险，进一步缩短了芯片到上导电层边缘的间距限制，从而降低了陶瓷基板的整体尺寸，满足了半导体封装模块逐渐向小型化发展的趋势，因此，本申请实施例所提供陶瓷基板有效解决了现有陶瓷基板因溢锡现象导致无法进一步缩减尺寸的问题。

公开(公告)号：CN119584624A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411599681.8

申请日：2024-11-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 张福胜 ,  谢梓翔 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H10D64/27 ,  H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，所述金属氧化物半导体场效应管包括依次层叠的漏极金属层、衬底、第一外延层、第二外延层、介质层和源极金属层；第一外延层的上表面包括间隔设置的第一掩埋区；第二外延层包括间隔设置的离子注入层、沟槽区和第二掩埋区；沟槽区包括第一栅极氧化层、第一栅极区、第二栅极氧化层和第二栅极区；第一栅极区、第二栅极氧化层和第二栅极区形成分裂栅结构；介质层包括目标开口，目标开口中填充有接触金属。本申请实施例可以降低金属氧化物半导体场效应管的动态损耗，并提高金属氧化物半导体场效应管的可靠性。

公开(公告)号：CN119448997A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411706814.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 高梦蝶 ,  李春艳 ,  梁彰怀 ,  廖勇波 ,  宋德超

IPC: H03K17/567 ,  H03K5/04 ,  H03K5/12

Abstract: 本申请提供了一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，通过反相延迟模块将方波信号反相并延迟，生成处理后信号，然后通过第一生成模块根据方波信号和处理后信号生成第一窄脉冲信号，和通过第二生成模块根据方波信号和处理后信号生成第二窄脉冲信号，再通过输出模块将第一窄脉冲信号的电压升高，生成第三窄脉冲信号，并将第二窄脉冲信号的电压升高，生成第四窄脉冲信号，以及根据第三窄脉冲信号和第四窄脉冲信号，生成驱动绝缘栅双极晶体管的控制信号，由于窄脉冲信号的占空比小于方波信号的占空比，因此，与在先技术中通过方波信号实现电压转换相比，通过窄脉冲信号实现电压转换，降低了驱动电路中的器件产生的热损耗。

公开(公告)号：CN115295518B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202210819321.9

申请日：2022-07-12

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 王令 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。

公开(公告)号：CN119324637A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202411335108.6

申请日：2024-09-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 刘宏民 ,  廖勇波

IPC: H02M5/458 ,  H02M1/088 ,  H02M1/44 ,  H02M7/219 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02P27/08

Abstract: 本发明实施例提供了一种合封电路模块方法及压缩机驱动电路，合封电路模块封装有第一功率器件组合、第二功率器件组合、第一驱动电路和第二驱动电路，第一驱动电路与第一功率器件组合连接，第二驱动电路与第二功率器件组合连接，第一功率器件组合与第二功率器件组合连接，其中，合封电路模块引出第一驱动电路和第二驱动电路的脉宽调制引脚，用于与微控制器单元的输入输出接口连接；合封电路模块引出第一功率器件组合和第二功率器件组合的引脚，用于与整流桥连接；合封电路模块引出第一功率器件组合和第二功率器件组合的引脚，用于与压缩机连接。本发明实施例合封电路模块相较于原来传统的电路模块减少了在印刷电路板中占用的使用面积。

公开(公告)号：CN118943011A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410960983.7

申请日：2024-07-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖鹤鸣 ,  吴佳蒙 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请公开了一种功率器件的制备方法及功率器件，所述方法包括：对晶圆中第一表面上的原始光刻胶层进行第一光刻处理，得到第一光刻胶层；基于第一光刻胶层中的第一图案，对第一光刻胶层和第一区域进行一次干刻处理，在晶圆的所述第一区域处形成第一沟槽；对一次干刻处理后的第一光刻胶层进行第二光刻处理，得到第二光刻胶层；基于第二光刻胶层中的第二图案，对第二光刻胶层、第二区域和第一沟槽进行二次干刻处理，得到第二沟槽；基于包含第二沟槽的晶圆，制备功率器件。本申请实施例可以通过二次干刻处理将晶圆中一次干刻处理形成的损伤层去除，提高了功率器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN118738105A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202411210428.9

申请日：2024-08-30

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈昊宇 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江 ,  谢梓翔

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法和用电器，涉及半导体领域。绝缘栅双极型晶体管包括：超结结构、场截止层、P型集电极、背面金属、N型载流子存储层、P型基区、N型发射极、第一栅、第二栅、介质层以及正面金属；超结结构由漂移区和半导体区组成，场截止层、P型集电极和背面金属依次层叠，位于超结结构的第二侧，且场截止层靠近超结结构；N型载流子存储层、P型基区、介质层和正面金属依次层叠，位于超结结构的第一侧，且N型载流子存储层靠近超结结构。本申请超结结构形成的横向电场会加快空穴的移除进而减少了空穴在P型基区和介质层底部的积累，进而优化了绝缘栅双极型晶体管的EMI，减小了正向开通损耗。

公开(公告)号：CN117594461A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311548743.8

申请日：2023-11-20

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  马颖江 ,  宋德超

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的封装方法和装置，所述智能功率模块包括集成电路芯片和功率芯片，所述方法包括：在基板上印制导线；将所述基板焊接至框架上；将所述集成电路芯片焊接至所述基板上，以及，将所述功率芯片焊接至所述框架上；将所述集成电路芯片与所述基板的所述导线键合，以及，将所述功率芯片与所述集成电路芯片键合；将与所述集成电路芯片关联的所述基板的所述导线引出；对所述基板和所述框架进行封装。本发明实施例将智能功率模块的集成电路芯片键合至基板上，并将基板焊接至框架，使得在集成电路芯片工作时，应力到基板上而不是直接应力到框架上，框架应力小，可以避免出现框架变形导致的诸如脱键等风险。

公开(公告)号：CN116023122A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211624585.5

申请日：2022-12-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 吴昊霖 ,  李春艳 ,  廖勇波 ,  马颖江

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  F24F5/00

Abstract: 本申请涉及一种空调、散热器及其成型方法，成型方法包括：制备包含光敏树脂的成型浆料；以成型浆料为原料采用光固化一体成型，得到散热器生胚；将散热器生胚低温煅烧，以去除光敏树脂；将煅烧后的散热器生胚进行高温烧结，以获得初始散热器；将初始散热器以预设方式进行热等静压处理，最终得到一体成型的散热器。该空调、散热器及其成型方法，使陶瓷散热器具有较高的致密度的同时，具有高导热率和高散热性能。

公开(公告)号：CN115955277A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211637587.8

申请日：2022-12-16

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 彭弼 ,  廖勇波 ,  李春艳 ,  梁彰怀 ,  马颖江

IPC: H04B10/25 ,  G08C23/06

Abstract: 本申请涉及一种隔离驱动装置、方法、系统、功率器件及电子设备，该隔离驱动装置包括：光发射机模块、光复用器模块、光解复用器模块、光电转换器模块；光发射机模块，用于基于传输信息产生光信号；光复用器模块，用于依据光信号生成光波，并通过光纤将光波提供给光解复用器模块；光解复用器模块，用于对光波进行分解，得到至少一束单波长光信号，并将单波长光信号提供给光电转换器模块；光电转换器模块，用于依据单波长光信号进行光电转换处理，得到传输信息对应的驱动信号，从而实现了光纤隔离驱动，进而可以利用光纤通信特点，实现单一光纤控制多通道功率开关，并可远距离超低延时控制大功率电力开关设备，安全可靠，提高隔离驱动控制效率。