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公开(公告)号：CN114220854B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202111564339.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。
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公开(公告)号：CN114220854A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111564339.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。
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公开(公告)号：CN114220781A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111582705.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN119364820A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411878132.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法和用电器，涉及半导体技术领域。碳化硅MOSFET包括：依次层叠的漏极、N型衬底和N型外延层；所述N型外延层背离所述N型衬底的一侧表面包括：依次分布的第一区域、第二区域和第三区域；N型电流扩展层，位于所述N型外延层的所述第二区域上；P型埋层，位于所述N型外延层的所述第一区域和所述第三区域上；栅极多晶硅层，位于所述第三区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；源极多晶硅层，位于所述第一区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；包含所述N型电流扩展层的沟道二极管。本申请可以降低碳化硅MOSFET反向导通时的导通压降。
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公开(公告)号：CN115132576A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210790583.7
申请日：2022-07-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L27/02 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供了一种用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构以及其制作方法。用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构包括本体层和开设在本体层的多个开口，任意两个相邻的开口的中心点之间的间距相等。本方案中，通过将RC‑IGBT离子注入的掩膜结构的开口设计成均匀分布排列，使得各个开口之间的区域可以承担引导区的作用，不需要额外的引导区，因此，RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不需要与RC‑IGBT的正面结构进行对准，从而该掩膜结构不受芯片面积的约束，可在多种面积IGBT的使用，进而解决现有技术中RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不能适用不同面积的芯片的问题。
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公开(公告)号：CN115954375A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211676804.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN111180338A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010103077.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。
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公开(公告)号：CN211428140U
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202020186451.X
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种器件级封装模块以及一种设置有该器件级封装模块的电路板。在本实用新型中，器件级封装模块包括基板以及盖板，由盖板设置在基板上形成空腔框架，在空腔框架外设置密封层，由密封层形成了用于容纳邦定线的空腔，空腔为真空空腔。本实用新型由于设置有空腔，封装结构不会与邦定线接触，无论是在生产制造过程中，还是在使用过程中，封装结构都不会对邦定线产生冲击，其解决了现有技术中对于功率半导体模块的封装所存在的可能会造成邦定线冲断的问题。进一步地，空腔采用真空空腔结构，其能够避免空腔内存在水分以及有害气体情况的出现，能够提高对芯片等元件的保护。
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公开(公告)号：CN216528873U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123277147.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498
Abstract: 本申请涉及电路基板及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN212033005U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020286911.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本实用新型提供了一种功率模块，所述功率模块的内部设置有冷却通道，所述冷却通道用于冷却液的流通。本实用新型自带冷却通道，体积小，散热效率高。
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