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发明公开
半导体器件功率试验装置及试验方法审中-实审

公开(公告)号：CN116087730A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211707188.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 罗哲雄 , 周望君 , 陆金辉 , 罗海辉 , 任亚东

IPC: G01R31/26 , G01L5/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件功率试验装置及试验方法，该方法包括：获取对待测器件施压的上散热器的各个位置所受到的压力的压力数据；根据所述压力数据，判断所述上散热器各个位置受力的均匀性是否满足要求；在所述上散热器各个位置受力的均匀性不满足要求时，依次调节施压模块的与所述上散热器的各个位置相对应接触的多个调节螺杆的扭矩；在所述均匀性满足要求时，通电进行功率试验。基于本发明的技术方案，提供一种双面散热功率半导体器件在功率试验中的压力均匀性测试与修正控制策略，提升双面散热功率半导体器件的散热可靠性。

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